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IRLR024N


Hersteller: IR
07+ TO-252
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Technische Details IRLR024N IR

Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: D-Pak (TO-252), Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V, Drain-Strom Idd, A: 17 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15, Montage: SMD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR024N IRLR024N
Produktcode: 1527
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Montage: SMD
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IRLR024N
Produktcode: 1527
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description
IRLR024N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Montage: SMD
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