IRLR024ZPBF
Produktcode: 43945
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
JHGF: SMD
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Technische Details IRLR024ZPBF IR
- MOSFET, N, LOGIC, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:16A
- On State Resistance:58mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Max Voltage Vds:55V
- Power Dissipation Pd:35W
- Pulse Current Idm:64A
- SMD Marking:IRLR024Z
- Transistor Case Style:D-PAK
Weitere Produktangebote IRLR024ZPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR024ZPBF | International Rectifier |
 DPAK=TO-252 Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRLR024ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 16A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
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IRLR024ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC |
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| IRLR024ZPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
DPAK=TO-252 Транзистори
DPAK=TO-252 Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| IRLR024ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| IRLR024ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC
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