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Technische Details IRLR110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRLR110PBF nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.79 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRLR110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 2554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.1nC On-state resistance: 0.54Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 17A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.1nC On-state resistance: 0.54Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 17A |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110PBF | Hersteller : Vishay |
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IRLR110PBF | Hersteller : Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |