IRLR110TRPBF
Produktcode: 61266
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Hersteller:
8542 39 90 00
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRLR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR110TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR110TRPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR110TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRLR110TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| IRLR110TRPBF |
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRLR110TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Pulsed drain current: 17A On-state resistance: 0.54Ω Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V |
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