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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
IRL 80 AOSRAM Opto SemiconductorsInfrared Emitter 950nm 3.5mW/sr Circular Right Angle 2-Pin
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IRL 80Aams-OSRAM USA INC.Description: EMITTER IR 950NM 60MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 950nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Viewing Angle: 60°
Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.4mW/sr @ 20mA
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
IRL 81AAMS OSRAM GROUPDescription: AMS OSRAM GROUP - IRL 81A - Infrarot-Emitter, 860 nm, 24 °, Radial bedrahtet, 25 mW/Sr, 12 ns, 12 ns
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.6
Abfallzeit tf: 12
Spitzenwellenlänge: 860
Betriebstemperatur, min.: -40
Strahlungsintensität (Ie): 25
Halbwertswinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 100
Anstiegszeit: 12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL 81AOSRAM Opto SemiconductorsInfrared Emitter 860nm 2.5mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.52 EUR
148+ 1.02 EUR
225+ 0.65 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 103
IRL 81Aams-OSRAM USA INC.Description: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 860nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 24°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 25mW/sr @ 20mA
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IRL 81Aams OSRAMInfrared Emitters Infrared 850nm Half Angle +/-12DEG
auf Bestellung 89934 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.68 EUR
31+ 1.73 EUR
100+ 1.13 EUR
500+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRL 81AOSRAM Opto SemiconductorsInfrared Emitter 860nm 2.5mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker
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IRL 81A
Produktcode: 169185		LEDs > LED Infrarot (IR)
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IRL 81A E9545OSRAM Opto Semiconductors Inc.Description: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
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IRL 81A E9553OSRAM Opto (ams OSRAM)Description: SENSOR
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IRL 81A-RSOSRAM Opto SemiconductorsInfrared Emitter Circular Top Mount 4-Pin
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IRL 81A-RSOSRAM Opto Semiconductors Inc.Description: HIGH POWER INFRARED EMITTER 850N
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IRL-5-D-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-D-D-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL-5-D-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-D-S-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL-5-K-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-K-D-2 - Schlüsselschalter, Aus-(Ein), DPDT, IRL Impulsion, 1 Position, Lötanschluss, 1 A
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Aus-(Ein)
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 1 Position
AC-Kontaktspannung, nom.: 115V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Impulsion
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: DPDT
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL-5-K-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-K-S-2 - Schlüsselschalter, DPDT, IRL Impulsion, 2 Positionen, Lötanschluss, 1 A
Schaltwinkel: 60
Schalterfunktion: -
AC-Kontaktspannung, nom.: 115
Kontaktkonfiguration: DPDT
DC-Kontaktspannung, nom.: 24
Anzahl der Schalterpositionen: 2 Positionen
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
Kontaktstrom, max.: 1
Produktpalette: IRL Impulsion
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IRL-5-L-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-L-D-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL-5-L-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-L-S-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL-5-M-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-M-D-2 - Schlüsselschalter, Aus-(Ein), DPDT, IRL Impulsion, 1 Position, Lötanschluss, 1 A
tariffCode: 85365080
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Aus-(Ein)
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 1 Position
AC-Kontaktspannung, nom.: 115V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Impulsion
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: DPDT
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL-5-M-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-M-S-2 - Schlüsselschalter, Aus-(Ein), DPDT, IRL Impulsion, 1 Position, Lötanschluss, 1 A
tariffCode: 85365080
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Aus-(Ein)
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 1 Position
AC-Kontaktspannung, nom.: 115V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Impulsion
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: DPDT
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL-5-R-D-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-R-D-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL-5-R-S-2LORLINDescription: LORLIN - IRL-5-R-S-2 - Schlüsselschalter, Tastend mit Federrückführung, SP3T, IRL Series, 3 Positionen, Lötanschluss
tariffCode: 85365015
Schaltwinkel: 60°
rohsCompliant: Y-EX
Schalteranschlüsse: Lötanschluss
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktstrom, max.: 1A
Schalterfunktion: Tastend mit Federrückführung
usEccn: EAR99
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktspannung, nom.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktspannung, nom.: 24V
Produktpalette: IRL Series
productTraceability: No
Kontaktkonfiguration: SP3T
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL-CL2-01MEAN WELLLED Lighting Bars and Strips SW/WW 12V 3M LED RL 5700-6500/2900-3200K
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IRL-P212E50SICK, Inc.Description: REF PHOTOELEC SWITCH
Packaging: Bulk
Adjustment Type: Adjustable, 9-Turn Potentiometer
Sensing Distance: 9.843" ~ 59.055" (250mm ~ 1.5m)
Sensing Method: Retroreflective
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Voltage - Supply: 19.2V ~ 27.6V
Response Time: 2ms
Ingress Protection: IP65
Connection Method: Connector, M12
Light Source: Red LED
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IRL-RGB-01MEAN WELLLED Lighting Bars and Strips RGB 12V 3M LED Reel 620/515/460nm IP65
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IRL-RGBW-01MEAN WELLLED Lighting Bars and Strips RGBW 12V 3M LED Reel 620/515/460nm 5500K
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IRL02 200X200X1TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
Packaging: Bulk
Material: Polymer Resin, Magnetic Powder
Length: 7.874" (200.00mm)
Shape: Square
Type: Absorbing Sheet
Width: 7.874" (200.00mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Adhesive: Non-Conductive, Single Sided
Thickness - Overall: 0.039" (1.00mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
IRL02 200X200X2TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
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IRL024B10Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
Produkt ist nicht verfügbar
IRL024B20Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
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IRL024B40Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
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IRL024F10Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
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IRL024F20Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
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IRL024F40Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
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IRL024P10Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
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IRL024P20Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
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IRL024P40Amphenol PcdStandard Circular Contacts DIN-rail interface module product -see catalog
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IRL02A 200X200X1TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
IRL02A 200X200X2TDK CorporationDescription: RF EMI ABSORB SHEET 7.874X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
IRL02AB 300X200X0.05TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
IRL03AB 300X200X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
IRL03AB 300X200X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
IRL04EAB 300X200X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
IRL04EAB 300X200X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
IRL04EAB300X200X0.5TDKEMI Gaskets, Sheets & Absorbers 50MHz-10GHz
Produkt ist nicht verfügbar
IRL04EAB300X200X0.50TDK - TeridianNOISE SUPPRESION SHEET FLEXIELD
Produkt ist nicht verfügbar
IRL04EAB300X200X0.50TDKEMI Gaskets, Sheets, Absorbers & Shielding
Produkt ist nicht verfügbar
IRL05AB 300X200X0.1TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004InfineonN-MOSFET 130A 40V 200W IRL1004 IRL1004 TIRL1004
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL1004LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.36 EUR
50+ 5.83 EUR
100+ 5 EUR
500+ 4.44 EUR
1000+ 3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRL1004PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.72 EUR
31+ 2.37 EUR
35+ 2.06 EUR
37+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.72 EUR
31+ 2.37 EUR
35+ 2.06 EUR
37+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.97 EUR
59+ 2.59 EUR
69+ 2.11 EUR
100+ 1.86 EUR
250+ 1.77 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRL1004PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.18 EUR
10+ 6.55 EUR
25+ 4.42 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.95 EUR
500+ 3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRL1004PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.98 EUR
59+ 2.6 EUR
69+ 2.12 EUR
100+ 1.86 EUR
250+ 1.77 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRL1004PBF транзистор
Produktcode: 198530		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL1004SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
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IRL1004SIR07+ TO-263
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IRL1004SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 66.7nC
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IRL1004SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRL1004SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1004STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
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IRL1004STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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IRL1004STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
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IRL1004STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRL1004STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
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IRL1004STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 25 V
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IRL1004STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRL100HS121Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
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IRL100HS121Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRL100HS121INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.8A; 5.8W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Power dissipation: 5.8W
Gate charge: 3.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 7.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL100HS121Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRL100HS121Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
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IRL100HS121Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRL100HS121Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
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1000+ 1.4 EUR
4000+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 19
IRL100HS121INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.8A; 5.8W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Power dissipation: 5.8W
Gate charge: 3.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 7.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
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IRL1104
Produktcode: 99524		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3445/68
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL1104Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
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IRL1104Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104LPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL1104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL1104SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104SPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104SPBF
Produktcode: 15420		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 40
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3445/68
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104STRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104STRLPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3445 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104STRRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1104STRRPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404PBF
Produktcode: 57532		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 160
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar 28 Stück:
5 Stück - stock Köln
23 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.6 EUR
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 105
IRL1404PBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1350+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1350
IRL1404PBF-INFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
263+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 263
IRL1404SIRTO-263
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL1404SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL1404SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404SPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 160A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+4.03 EUR
1600+ 3.45 EUR
2400+ 3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 160A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 160A 4mOhm 93.3nC Log Lvl
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 5.67 EUR
25+ 5.56 EUR
100+ 4.58 EUR
250+ 4.5 EUR
500+ 4.32 EUR
800+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL1404STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3493 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+ 5.6 EUR
100+ 4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1404ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0.0031Ω IRL1404Z TIRL1404z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL1404ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Case: TO220AB
Pulsed drain current: 790A
Drain-source voltage: 40V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.9 EUR
12+ 4.39 EUR
100+ 3.8 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRL1404ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Case: TO220AB
Pulsed drain current: 790A
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.08 EUR
64+ 2.39 EUR
100+ 1.9 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 51
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.08 EUR
64+ 2.39 EUR
100+ 1.9 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 51
IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1404ZPBF
Produktcode: 34998		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 160
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 255 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.4 EUR
10+ 1.26 EUR
IRL1404ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1404ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZSIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL1404ZSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL1404ZSPBF
Produktcode: 27885		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5080/75
Bem.: Управління логічним рівнем
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 75nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.53 EUR
103+ 1.41 EUR
200+ 1.33 EUR
500+ 1.28 EUR
1600+ 1.22 EUR
3200+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 102
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.15 EUR
139+ 1.09 EUR
143+ 1.02 EUR
500+ 0.97 EUR
800+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 136
IRL1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 790A
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
33+ 2.19 EUR
43+ 1.67 EUR
46+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRL1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.15 EUR
139+ 1.09 EUR
143+ 1.02 EUR
500+ 0.97 EUR
800+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 136
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
auf Bestellung 14754 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.42 EUR
14+ 3.82 EUR
100+ 3.25 EUR
250+ 3.22 EUR
500+ 3.04 EUR
800+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 3436 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.95 EUR
10+ 4.95 EUR
100+ 3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL1404ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRL1404ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 790A
Drain-source voltage: 40V
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.43 EUR
33+ 2.19 EUR
43+ 1.67 EUR
46+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.01 EUR
84+ 1.8 EUR
85+ 1.72 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.42 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 78
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.01 EUR
84+ 1.8 EUR
85+ 1.72 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.42 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 78
IRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+3.33 EUR
1600+ 2.83 EUR
2400+ 2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL1N12LHARTO-39;
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2203IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2203NInfineon / IRMOSFET
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IRL2203NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRL2203N TIRL2203n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRL2203N(Transistor)
Produktcode: 46039		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRL2203N-029Infineon / IRInfineon
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IRL2203N-029HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NHRInfineon / IRInfineon
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IRL2203NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.89 EUR
2450+ 0.78 EUR
4900+ 0.7 EUR
7350+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 176
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IRL2203NPBF
Produktcode: 74311		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 116 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3290/60
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 499 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2203NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSPBF
Produktcode: 1761		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSPBFInternational Rectifier Corporation
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2203NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTR
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2203NSTRL
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2203NSTRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203NSTRRIR0310+
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2203NSTRRIR0310+
auf Bestellung 6400 Stücke:
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IRL2203NSTRRHRInfineon / IRInfineon
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IRL2203NSTRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC
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IRL2203NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRL2203NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
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IRL2203SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2203STRLVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
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IRL2203STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2203STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
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IRL2203STRRVishayVishay
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IRL2230NSIR
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2505International RectifierN-MOSFET HEXFET 55V 104A 200W 0.008Ω IRL2505 TIRL2505
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
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10+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL2505Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2505PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 12440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.21 EUR
50+ 5 EUR
100+ 4.11 EUR
500+ 3.48 EUR
1000+ 2.95 EUR
2000+ 2.81 EUR
5000+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL2505PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 104; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 25; Qg, нКл = 130 @ 5 В; Rds = 8 мОм @ 54 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+ 2.93 EUR
100+ 2.57 EUR
IRL2505PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC LogLvAB
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.3 EUR
13+ 4.32 EUR
100+ 3.98 EUR
500+ 3.51 EUR
1000+ 2.94 EUR
2000+ 2.78 EUR
5000+ 2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
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IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2505PBF
Produktcode: 191359		JSMicroTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 68 A
Rds(on), Ohm: 7,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1204/17,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 293 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.47 EUR
73+ 2.07 EUR
100+ 1.74 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.34 EUR
2000+ 1.05 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 64
IRL2505PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2505PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2505PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
36+ 2.02 EUR
41+ 1.77 EUR
47+ 1.53 EUR
50+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2505PBF
Produktcode: 27992		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar 227 Stück:
25 Stück - stock Köln
202 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.28 EUR
10+ 1.26 EUR
IRL2505PBFIRТранз. Пол. БМ N-HEXFET logik TO220AB Udss=55V; Id=104A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.3 EUR
10+ 7.51 EUR
IRL2505PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.23 EUR
36+ 2.02 EUR
41+ 1.77 EUR
47+ 1.53 EUR
50+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.47 EUR
73+ 2.07 EUR
100+ 1.74 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.34 EUR
2000+ 1.05 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 64
IRL2505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2505SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2505SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2505SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2505SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505SPBF
Produktcode: 18630		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2505SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 86.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.4 EUR
10+ 6.01 EUR
100+ 5.98 EUR
800+ 3.72 EUR
2400+ 3.07 EUR
4800+ 2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRL2505STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2505STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2703Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2703International RectifierN-MOSFET 30V 24A IRL2703 TIRL2703
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRL2703HRInfineon / IRInfineon
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IRL2703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2703PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2703PBFInternational Rectifier Corporation
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2703PBF
Produktcode: 114363		Transistoren > MOSFET N-CH
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IRL2703PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 24A 400mOhm 10nC LogLvAB
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IRL2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2703SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2703SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
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IRL2703SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2703SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2703SPBFIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2703SPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC
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IRL2703SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRL2703STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2703STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2703STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
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IRL2703STRRPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL2910Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2910LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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IRL2910L
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2910LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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IRL2910NSIR
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910
Produktcode: 99525		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.026
Ciss, pF/Qg, nC: 3700/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 67 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.52 EUR
10+ 1.4 EUR
IRL2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2910PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 48A 93.3nC 26mOhm LogLvAB
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.23 EUR
100+ 4.78 EUR
250+ 4.65 EUR
500+ 4 EUR
1000+ 2.94 EUR
5000+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL2910PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2910SIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2910SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2910SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2910SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2910SHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 7147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2910SHRIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910SPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910SPBF
Produktcode: 118889		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL2910SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910STRLInfineonN-MOSFET HEXFET 100V 55A 3.8W 0.026Ω IRL2910S TIRL2910s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL2910STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL2910STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2910STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl
auf Bestellung 2781 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.88 EUR
10+ 6.63 EUR
25+ 6.24 EUR
100+ 5.36 EUR
250+ 5.04 EUR
500+ 4.76 EUR
800+ 3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.36 EUR
75+ 2.03 EUR
100+ 1.89 EUR
200+ 1.8 EUR
500+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 67
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2910STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 8191 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.83 EUR
10+ 6.58 EUR
100+ 5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL2910STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+4.73 EUR
1600+ 4.05 EUR
2400+ 3.82 EUR
5600+ 3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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68+2.31 EUR
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IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRL2910STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET PLANAR >= 100V
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IRL2910SZIR09+
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IRL3102IR09+
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IRL3102Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3102LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3102PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
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IRL3102PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL3102PBFIR
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3102PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3102SIR09+
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IRL3102SIR07+ TO-263
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3102SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3102SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3102SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
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IRL3102SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
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IRL3102SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3102STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3102STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3102STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3102STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3102STRRPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103
Produktcode: 189656		JSMicroTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 220 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3103
Produktcode: 7965		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 20
Idd,A: 61
Rds(on), Ohm: 0.013
Ciss, pF/Qg, nC: 2500/58
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar 12 Stück:
1+0.54 EUR
IRL3103Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3103D1SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1STRLIOR2000
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3103D1STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1STRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1STRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1STRLPInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1STRLPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1STRRVishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D1STRRPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D2SInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D2SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D2STRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103D2STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103LHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103LPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103PBF
Produktcode: 52399		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1650/33
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3103PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103S
Produktcode: 24772		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3103SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3103SHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
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IRL3103SHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103SHRIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
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IRL3103SPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 12mOhms
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IRL3103SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
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IRL3103STRLIR01+ TO263
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3103STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
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IRL3103STRLIOR2000
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3103STRLHRInfineon / IRInfineon
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IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
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IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3200+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3200
IRL3103STRLPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
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IRL3103STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 163572 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
586+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 586
IRL3103STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRL3103STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3103STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103STRRHARRIS2001
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3103STRRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103STRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3103STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
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IRL3104SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3202LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 48A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3202PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3202PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3202PBF
Produktcode: 56364		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3202SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3202SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3202SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3202STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3215
Produktcode: 55948		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3215
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 166mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3215HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3215PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 11212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.31 EUR
53+ 2.86 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.02 EUR
2500+ 0.95 EUR
5000+ 0.87 EUR
10000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 48
IRL3215PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3215PBFIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3215PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 39A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302LInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
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IRL3302SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3302SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3302SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 8.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302STInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
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IRL3302STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 20.7nC
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IRL3302STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3302STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
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IRL3302STRRPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3303IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3303Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
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IRL3303IR
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3303IRTO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3303D1Infineon TechnologiesInfineon
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IRL3303D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303D1PBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3303D1S
Produktcode: 79756		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 30 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0.026
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar 5 Stück:
1+1.68 EUR
IRL3303D1SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
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IRL3303D1SInfineon / IRMOSFET
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IRL3303D1SHRInfineon / IRInfineon
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IRL3303D1SPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3303D1STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
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IRL3303D1STRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303D1STRLHRInfineon / IRInfineon
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IRL3303D1STRLPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3303D1STRRInfineon / IRMOSFET
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IRL3303D1STRRVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
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IRL3303D1STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
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IRL3303HRInfineon / IRInfineon
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IRL3303LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
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IRL3303LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
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IRL3303PBFIR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL3303SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3303SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3303SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3303SHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303SPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303STRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303STRRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3303STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3402IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3402Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3402HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3402LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3402LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3402LInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3402PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 52nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3402PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
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IRL3402PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL3402SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3402SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 51A, 7V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
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IRL3402SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3402SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
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IRL3402SPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3402SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRL3402STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
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IRL3402STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
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IRL3402STRLPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3402STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
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IRL3402STRRPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3502Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL3502Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
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IRL3502
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3502HRInfineon / IRInfineon
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IRL3502LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
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IRL3502LVishay / SiliconixMOSFET Discrete Semiconductor Products
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IRL3502LInfineon / IRMOSFET
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IRL3502PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4206 Stücke:
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30+5.3 EUR
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1000+ 1.69 EUR
2500+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRL3502PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3502PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
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IRL3502PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 8mOhms
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IRL3502PBFIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL3502SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3502SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
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IRL3502SHRInfineon / IRInfineon
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IRL3502SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
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IRL3502SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC
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IRL3502SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRL3502STRLHRInfineon / IRInfineon
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IRL3502STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
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IRL3502STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
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IRL3502STRRHRInfineon / IRInfineon
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IRL3502STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 64A, 7V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
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IRL3502STRRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC
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IRL3705IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3705IR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3705NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3705NIR - ASA only SupplierTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3705NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3705NL
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3705NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NLPBF
Produktcode: 28463		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.54 EUR
105+ 1.44 EUR
114+ 1.28 EUR
200+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 102
IRL3705NPBF
Produktcode: 24017		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 55
Idd,A: 89
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar 424 Stück:
26 Stück - stock Köln
398 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.84 EUR
IRL3705NPBFIRТранз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.29 EUR
10+ 5.56 EUR
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.98 EUR
15+ 3.51 EUR
100+ 2.91 EUR
250+ 2.89 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.12 EUR
2000+ 2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IRL3705NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.57 EUR
31+ 2.32 EUR
41+ 1.77 EUR
43+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.45 EUR
10+ 3.69 EUR
100+ 2.94 EUR
500+ 2.48 EUR
1000+ 2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.35 EUR
127+ 1.19 EUR
138+ 1.05 EUR
250+ 1 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.8 EUR
2000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 116
IRL3705NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
31+ 2.32 EUR
41+ 1.77 EUR
43+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.35 EUR
127+ 1.2 EUR
138+ 1.06 EUR
250+ 1 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.8 EUR
2000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 116
IRL3705NPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3705NSIRL3705NS Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRL3705NS
Produktcode: 37577		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSPBFInfineonТранз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+10.42 EUR
10+ 10.04 EUR
IRL3705NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.39 EUR
1600+ 0.88 EUR
2400+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.61 EUR
101+ 1.5 EUR
109+ 1.34 EUR
200+ 1.25 EUR
500+ 1.2 EUR
1600+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 97
IRL3705NSTRLPBFInternational Rectifier CorporationMOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl, TO-252-3
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBFInfineonТранз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+11.9 EUR
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.56 EUR
22+ 2.4 EUR
100+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IRL3705NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.39 EUR
1600+ 0.88 EUR
2400+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705PBFIRTO-220AB
auf Bestellung 4939 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3705Z
Produktcode: 99526		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3705ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.5 EUR
10+ 5.85 EUR
100+ 4.78 EUR
500+ 3.93 EUR
1000+ 3.28 EUR
2000+ 3.17 EUR
10000+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.32 EUR
15+ 3.64 EUR
100+ 2.89 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.16 EUR
10000+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRL3705ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.19 EUR
77+ 1.96 EUR
100+ 1.6 EUR
200+ 1.45 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.52 EUR
50+ 3.63 EUR
100+ 2.98 EUR
500+ 2.53 EUR
1000+ 2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRL3705ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.74 EUR
107+ 1.41 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 1.02 EUR
2000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 90
IRL3705ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2 EUR
90+ 1.69 EUR
107+ 1.37 EUR
500+ 1.15 EUR
1000+ 0.98 EUR
2000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 79
IRL3705ZPBFInternational RectifierDescription: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
330+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 330
IRL3705ZPBF
Produktcode: 113435		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 13 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet 01.05.2024
IRL3705ZSIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3705ZSIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3705ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3705ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZSPBF
Produktcode: 26657		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZSPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 40nC
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IRL3705ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
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IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.74 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.63 EUR
800+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IRL3705ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.09 EUR
79+ 1.92 EUR
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200+ 1.53 EUR
500+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.32 EUR
1600+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.64 EUR
102+ 1.48 EUR
103+ 1.41 EUR
125+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 96
IRL3705ZSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.64 EUR
102+ 1.48 EUR
103+ 1.41 EUR
125+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 96
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.32 EUR
1600+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.2 EUR
10+ 4.33 EUR
100+ 3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3705ZSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRL3713International RectifierN-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3713International RectifierN-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3713Infineon / IRMOSFET
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IRL3713HRInfineon / IRInfineon
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IRL3713L(94-2390)
auf Bestellung 7095 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3713PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB
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IRL3713PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.18 EUR
100+ 3.58 EUR
500+ 2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRL3713PBF
Produktcode: 198923		VBsemiTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3713PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IRL3713PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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IRL3713PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713PBF
Produktcode: 35005		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 260
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar 20 Stück:
6 Stück - stock Köln
14 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.94 EUR
10+ 1.65 EUR
IRL3713SInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713SHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713SPBF
Produktcode: 28823		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRLIOR
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3713STRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3713STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3714L
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3714LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3714SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3714SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714STRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714STRL
auf Bestellung 11300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3714STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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IRL3714STRR
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3714STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
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IRL3714STRRPBF
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3714TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
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IRL3714ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL3714ZSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3714ZSIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3714ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
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IRL3714ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRL3714ZSPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3714ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
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IRL3715
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3715Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715LIORD-PAK
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3715LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715LInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715LPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3715SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3715SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715SInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 54A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 224
IRL3715STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715STRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715STRLPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715STRRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 10 V
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IRL3715STRRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC
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IRL3715TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
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IRL3715TRInfineon / IRMOSFET
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IRL3715TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
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IRL3715TRLInfineon / IRMOSFET
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IRL3715TRLPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3715TRPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3715TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB
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IRL3715TRRInfineon / IRMOSFET
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IRL3715TRRPBFInfineon / IRMOSFET
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IRL3715ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
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IRL3715Z
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3715ZCLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
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IRL3715ZCSIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3715ZCSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
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IRL3715ZCSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
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IRL3715ZCSTRLIOR2003
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3715ZCSTRLInfineon / IRMOSFET
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IRL3715ZCSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
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IRL3715ZCSTRLPInfineon / IRMOSFET
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IRL3715ZCSTRRInfineon / IRMOSFET
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IRL3715ZCSTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
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IRL3715ZCSTRRPInfineon / IRMOSFET
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IRL3715ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
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IRL3715ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO262
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IRL3715ZLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Log Lvl
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IRL3715ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
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IRL3715ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 50A 7nC 11mOhm Qg log lvl
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IRL3715ZSIR04+
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3715ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
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IRL3715ZSIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3715ZSPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 50A 11mOhm 7nC Qg Log Lvl
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IRL3715ZSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRL3715ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715ZSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3715ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716LInternational RectifierN-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
Anzahl je Verpackung: 11 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRL3716LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716LPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716PBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3716PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 210
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716PBF
Produktcode: 98084		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3716SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716SIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3716SHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716SPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716STRLInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716STRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716STRLPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716STRRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716STRRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3716STRRPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3717SIR07+ TO-263
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3717SIRTO-263
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3803LPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.85 EUR
81+ 1.86 EUR
100+ 1.52 EUR
250+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 55
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.85 EUR
81+ 1.86 EUR
100+ 1.52 EUR
250+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 55
IRL3803PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.99 EUR
15+ 3.56 EUR
100+ 3.04 EUR
250+ 3.02 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.4 EUR
2000+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRL3803PBFIRL3803PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.86 EUR
103+ 1.47 EUR
114+ 1.28 EUR
250+ 1.22 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.93 EUR
2000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 84
IRL3803PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3267 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.2 EUR
50+ 4.18 EUR
100+ 3.44 EUR
500+ 2.91 EUR
1000+ 2.47 EUR
2000+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.17 EUR
76+ 1.98 EUR
100+ 1.69 EUR
250+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRL3803PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3803PBF
Produktcode: 28690		IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.2 EUR
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.31 EUR
122+ 1.24 EUR
123+ 1.19 EUR
200+ 1.12 EUR
500+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 120
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.17 EUR
76+ 1.98 EUR
100+ 1.69 EUR
250+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRL3803PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.85 EUR
104+ 1.46 EUR
115+ 1.27 EUR
250+ 1.21 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.92 EUR
2000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 85
IRL3803SInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803S smd TIRL3803s
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3803SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803SPB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803SPBFIR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803STRLIR04+ TO-263
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803STRLIRTO263
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.69 EUR
10+ 4.73 EUR
100+ 3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL3803STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.49 EUR
54+ 2.83 EUR
100+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 45
IRL3803STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+3.18 EUR
1600+ 2.7 EUR
2400+ 2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.41 EUR
12+ 4.55 EUR
100+ 3.61 EUR
500+ 3.41 EUR
800+ 2.68 EUR
2400+ 2.54 EUR
4800+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.49 EUR
54+ 2.83 EUR
100+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 45
IRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
298+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 298
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803STRRPBF
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803VL
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803VPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL3803VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 140 A, 0.0055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 140
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803VPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803VSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803VSIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3803VSPBFIR
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 140A 5.5mOhm 50.7nC LogLv
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IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRL40B209Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lv
auf Bestellung 4605 Stücke:
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8+7.31 EUR
10+ 6.55 EUR
100+ 5.62 EUR
3000+ 4.78 EUR
6000+ 4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRL40B209
Produktcode: 168507		Transistoren > MOSFET N-CH
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IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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71+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 71
IRL40B209INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1707A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 293A
Pulsed drain current: 1707A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.01 EUR
79+ 1.92 EUR
100+ 1.81 EUR
200+ 1.73 EUR
500+ 1.66 EUR
1000+ 1.59 EUR
2000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 78
IRL40B209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40B209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40B209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15140 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B209INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1707A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 293A
Pulsed drain current: 1707A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRL40B212INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 179A; 231W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 179A
Power dissipation: 231W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B212INFINEONDescription: INFINEON - IRL40B212 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40B212Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B212INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 179A; 231W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 179A
Power dissipation: 231W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B212Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.07 EUR
10+ 5.9 EUR
100+ 4.68 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 4.06 EUR
1000+ 3.87 EUR
3000+ 3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B215INFINEONDescription: INFINEON - IRL40B215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 143
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40B215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B215INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 116A; 143W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 116A
Power dissipation: 143W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B215Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.07 EUR
12+ 4.45 EUR
100+ 3.8 EUR
250+ 3.61 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 3.28 EUR
3000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRL40B215Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 92
IRL40B215Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40B215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
249+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 249
IRL40B215INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 116A; 143W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 116A
Power dissipation: 143W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4800+3 EUR
Mindestbestellmenge: 4800
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 6693 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.92 EUR
10+ 5.74 EUR
100+ 4.57 EUR
500+ 3.86 EUR
1000+ 3.28 EUR
2000+ 3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40S212Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40S212Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40S212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40S212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.45 EUR
10+ 5.38 EUR
100+ 4.29 EUR
250+ 4.11 EUR
500+ 3.61 EUR
800+ 2.91 EUR
4800+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesN-Channel MOSFET Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
auf Bestellung 24551 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.42 EUR
10+ 5.33 EUR
100+ 4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+3.59 EUR
1600+ 3.05 EUR
2400+ 2.89 EUR
5600+ 2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL40SC209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+5.89 EUR
1600+ 5.04 EUR
2400+ 4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL40SC209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 49
IRL40SC209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
auf Bestellung 971 Stücke:
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IRL40SC209Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1226 Stücke:
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6+8.92 EUR
10+ 7.7 EUR
25+ 7.49 EUR
100+ 6.42 EUR
250+ 5.49 EUR
800+ 4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4 EUR
43+ 3.39 EUR
100+ 2.96 EUR
250+ 2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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IRL40SC209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
auf Bestellung 3667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.75 EUR
10+ 8.19 EUR
100+ 6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4 EUR
43+ 3.39 EUR
100+ 2.96 EUR
250+ 2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2753 Stücke:
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33+4.75 EUR
50+ 3.92 EUR
100+ 3.75 EUR
200+ 3.5 EUR
500+ 3.1 EUR
1600+ 2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 33
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL40SC228Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
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6+10.27 EUR
10+ 8.63 EUR
100+ 6.99 EUR
800+ 5.3 EUR
2400+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
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38+4.19 EUR
41+ 3.55 EUR
100+ 3.09 EUR
250+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 38
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC228Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL40SC228INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.19 EUR
41+ 3.55 EUR
100+ 3.09 EUR
250+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 38
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL40SC228Infineon
auf Bestellung 363200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL40SC228INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.33 EUR
25+ 6.76 EUR
50+ 6.26 EUR
100+ 5.82 EUR
250+ 5.42 EUR
500+ 5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40SC228Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.19 EUR
10+ 8.56 EUR
100+ 6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRL40T209Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40T209ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40T209ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510SiliconixN-MOSFET 100V 5.6A IRL510 TIRL510
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRL510Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRL510PBF
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510LVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510L
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRL510LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 2661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 249
IRL510PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.27 EUR
105+ 0.69 EUR
116+ 0.62 EUR
151+ 0.48 EUR
159+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57
IRL510PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
105+ 0.69 EUR
116+ 0.62 EUR
151+ 0.48 EUR
159+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57
IRL510PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 10006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.12 EUR
50+ 2.5 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.37 EUR
2000+ 1.29 EUR
5000+ 1.23 EUR
10000+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.15 EUR
90+ 1.69 EUR
114+ 1.28 EUR
500+ 1.04 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRL510PBFVishay SemiconductorsMOSFET 100V N-CH HEXFET
auf Bestellung 7301 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.56 EUR
25+ 2.16 EUR
100+ 1.77 EUR
500+ 1.57 EUR
1000+ 1.38 EUR
2000+ 1.26 EUR
5000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL510PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.12 EUR
50+ 2.5 EUR
100+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRL510PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V N-CH HEXFET
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.12 EUR
26+ 2.08 EUR
100+ 1.72 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.27 EUR
5000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRL510SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510SPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.61 EUR
10+ 2.94 EUR
100+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRL510STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.61 EUR
18+ 2.96 EUR
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500+ 1.77 EUR
800+ 1.5 EUR
4800+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
IRL510STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL510STRRPBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRL520LPBF
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520LPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.56 EUR
500+ 1.89 EUR
1000+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRL520LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 100V 10A 48W 0.180Ω IRL520N TIRL520n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRL520NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 100V 10A 48W 0.180Ω IRL520N TIRL520n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRL520N
Produktcode: 440		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.09 EUR
104+ 0.69 EUR
112+ 0.64 EUR
135+ 0.53 EUR
142+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 66
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.94 EUR
205+ 0.74 EUR
500+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 168
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.87 EUR
197+ 0.77 EUR
204+ 0.71 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 181
IRL520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 8690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.39 EUR
50+ 1.92 EUR
100+ 1.52 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.05 EUR
2000+ 0.99 EUR
5000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.06 EUR
167+ 0.9 EUR
204+ 0.71 EUR
500+ 0.63 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 148
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL520NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
104+ 0.69 EUR
112+ 0.64 EUR
135+ 0.53 EUR
142+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 66
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 10A 13.3nC 180mOhm LogLvAB
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.2 EUR
29+ 1.85 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.06 EUR
2000+ 1 EUR
5000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
IRL520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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IRL520NSIR05+
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IRL520NSIRTO-263
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IRL520NSIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRL520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 13.3nC
auf Bestellung 3 Stücke:
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IRL520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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IRL520NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRL520NSTRLInfineonN-MOSFET HEXFET 100V 10A 3.8W 0.18Ω IRL520NS TIRL520ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRL520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL520NSTRLInfineonN-MOSFET HEXFET 100V 10A 3.8W 0.18Ω IRL520NS TIRL520ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 1769 Stücke:
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10+2.89 EUR
12+ 2.35 EUR
100+ 1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv
auf Bestellung 37843 Stücke:
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19+2.86 EUR
23+ 2.32 EUR
100+ 1.74 EUR
500+ 1.73 EUR
800+ 1.25 EUR
2400+ 1.22 EUR
4800+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 7067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar