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IRL540NPBF

IRL540NPBF

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Produktcode: 25626
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/74
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 1694 Stücke:
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53+3.28 EUR
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IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567 Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 68136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
50+2.14 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
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IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON INFN-S-A0012813896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 13577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
88+2.64 EUR
124+1.74 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.17 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2817 Stücke:
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IRL540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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53+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRL540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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IRL540NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 13577 Stücke:
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124+1.74 EUR
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IRL540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLZ44NPBF
Produktcode: 35365
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description irlz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567217c32725
IRLZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 41 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
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erwartet: 1000 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC639 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1158
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BC635,637,639.pdf
BC639 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
  • 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 975 St.
  • 975 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1000+0.075 EUR
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IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 340 St.
  • 340 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-100R-Hitano) (S)
Produktcode: 13684
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CR-S_080911.pdf
100 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-100R-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 100 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1178 St.
  • 1178 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 15.12.2026
auf Bestellung: 989 St.
  • 989 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PC817A
Produktcode: 18418
11 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+100°С
Kanalanzahl: 8542 39 90 00
auf Bestellung: 5284 St.
  • 5284 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.3 EUR
10+0.17 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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