BC639 (NPN-Bipolartransistor) Fairchild
Produktcode: 1158
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.13 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC639 | MIC |
NPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2322 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
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| BC639 | CDIL |
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 244 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC639 |
![]() |
Hersteller: MIC
NPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
NPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.13 EUR |
| BC639 |
![]() |
Hersteller: CDIL
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 244 Stücke:
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| BC640 Produktcode: 3455
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 80 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 80 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 543 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.06 EUR |
| 10+ | 0.052 EUR |
| 100+ | 0.048 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822
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|
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung 55882 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF9540NPBF Produktcode: 31944
3
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|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
auf Bestellung 585 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.69 EUR |
| 10+ | 0.62 EUR |
| 1N4148 Produktcode: 176824
13
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Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
auf Bestellung 20858 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
| LM358N Produktcode: 181180
5
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|
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Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Vc, V: 3...32 V
Bandbreite BW, MHz: 0,7 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 2 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 0,3 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 2
Montage: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Vc, V: 3...32 V
Bandbreite BW, MHz: 0,7 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 2 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 0,3 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 2
Montage: THT
auf Bestellung 143 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)





