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BC640

BC640 MCC

BC636,638,640.pdf
Produktcode: 3455
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Hersteller: MCC
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 80
U, V: 80
I, А: 1.0
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 809 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC640 BC640 Hersteller : MIC TBC640_0641.pdf Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI; BC640 TBC640
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BC640 BC640 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 24267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3030+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3030
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC640 BC640 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861488.pdf Description: MULTICOMP PRO - BC640 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC640 Hersteller : CDIL BC635_40-CDIL.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: 325
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 260 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC640 Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor BC640.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: 100
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 28 Stücke:
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BC640 Hersteller : NXP BC640_BCP53_BCX53_6.pdf (PNP,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC640 Hersteller : Samsung FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC640 BC640 Hersteller : onsemi bc640-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
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BC640 BC640 Hersteller : Diodes Incorporated bc640.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC640 BC640 Hersteller : NXP Semiconductors FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT
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BC640 BC640 Hersteller : onsemi FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 1324 St.
50 St. - stock Köln
1274 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.1 EUR
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Produktcode: 15292
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BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1902 St.
104 St. - stock Köln
1798 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 80952 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 823 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 22580
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2SC2655.pdf
2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 2
h21: 240
ZCODE: THT
verfügbar: 373 St.
30 St. - stock Köln
343 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.13 EUR
10+0.11 EUR
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