BC640 Fairchild
Produktcode: 3455
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 80 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.098 EUR |
| 10+ | 0.075 EUR |
| 100+ | 0.063 EUR |
| 1000+ | 0.055 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BC640 | MIC |
Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI; BC640 TBC640Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC640 | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 24267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC640TA | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 50MHz |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC640 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BC640 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 12188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC640 | CDIL |
Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 325 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 260 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| BC640 | Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 100 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 500000 Stücke |
verfügbar 28 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC640 |
![]() |
Hersteller: MIC
Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI; BC640 TBC640
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI; BC640 TBC640
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.18 EUR |
| BC640 |
![]() |
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 24267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3030+ | 0.18 EUR |
| BC640TA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 0.7 EUR |
| 159+ | 0.54 EUR |
| 183+ | 0.46 EUR |
| 261+ | 0.32 EUR |
| 300+ | 0.29 EUR |
| BC640 |
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Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BC640 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - BC640 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 328+ | 0.76 EUR |
| 524+ | 0.44 EUR |
| 770+ | 0.27 EUR |
| 1035+ | 0.2 EUR |
| 1205+ | 0.18 EUR |
| 5000+ | 0.14 EUR |
| BC640 |
![]() |
Hersteller: CDIL
Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 325 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 325 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 260 Stücke:
| BC640 |
![]() |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500000 Stücke
Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500000 Stücke
verfügbar 28 Stücke:
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| BC639 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 1158
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
- 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1222 St.
- 1222 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.13 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.075 EUR |
| BD139 Produktcode: 191983
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|
![]() |
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung: 388 St.
- 388 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.27 EUR |
| 10+ | 0.25 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 1N4148 Produktcode: 176824
13
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|
![]() |
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 18543 St.
- 18543 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.058 EUR |
| 10+ | 0.024 EUR |
| 100+ | 0.015 EUR |
| 1000+ | 0.011 EUR |
| BD140 (КТ814Г) Produktcode: 15292
2
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|
![]() |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 104 St.
- 104 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1288 St.
- 1288 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| IRF3205PBF Produktcode: 25094
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|
![]() |
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3050 St.
- 3000 St. - erwartet 13.08.2026
- 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 1189 St.
- 1189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |









