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BC640

BC640 MCC

BC636,638,640.pdf
Produktcode: 3455
Hersteller: MCC
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 80
U, V: 80
I, А: 1.0
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC640 BC640 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 24267 Stücke:
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3030+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3030
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BC640 Hersteller : JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI; BC640 TBC640
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 200
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BC640 Hersteller : MIC FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI; BC640 TBC640
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BC640 Hersteller : MIC FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI; BC640 TBC640
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 200
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BC640 Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 150 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Р, Вт = 1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TO-92-3
auf Bestellung 28 Stücke:
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BC640 Hersteller : Ningbo KLS electronic co.,ltd FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf PNP, 80V, 1A, 0.8W, TO-92
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC640 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861488.pdf Description: MULTICOMP PRO - BC640 - TRANSISTOR, PNP, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 19695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC640 BC640 Hersteller : ON Semiconductor bc640.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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BC640 BC640 Hersteller : onsemi bc640-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
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BC640 BC640 Hersteller : Diodes Incorporated bc640.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC640 BC640 Hersteller : NXP Semiconductors FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT
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BC640 BC640 Hersteller : onsemi FAIRS27751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bc640-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1158
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BC635,637,639.pdf
BC639 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 1478 St.
50 St. - stock Köln
1428 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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BD140
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 514 St.
104 St. - stock Köln
410 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 1650 St.
1500 St. - erwartet
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 2353 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
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10+1.45 EUR
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BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 915 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
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2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 22580
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2SC2655.pdf
2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 2
h21: 240
ZCODE: THT
verfügbar: 385 St.
30 St. - stock Köln
355 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20 St.
Anzahl Preis
1+0.13 EUR
10+0.11 EUR
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