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BC639 (Bipolartransistor NPN)

BC639 (Bipolartransistor NPN) NXP

BC635,637,639.pdf
Produktcode: 1158
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Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 1324 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC639 BC639 Hersteller : MIC info-tbc639.pdf NPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BC639 Hersteller : CDIL BC635_40-CDIL.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC639 Hersteller : Infineon BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf 1500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC639 Hersteller : NXP BC639_BCP56_BCX56_7.pdf TO92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC639 Hersteller : ONS/FAI BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf NPN, 80V, 1A,0.8W, 100MHZ, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC639 Hersteller : Philips BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf 1500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC639 BC639 Hersteller : onsemi BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
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BC639 BC639 Hersteller : Diodes Incorporated bc639.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC639 BC639 Hersteller : NXP Semiconductors BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT
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BC639 BC639 Hersteller : onsemi BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
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BC639 BC639 Hersteller : ONSEMI BC635-D.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 800mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Power: 0.8W
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BC640
Produktcode: 3455
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BC636,638,640.pdf
BC640
Hersteller: MCC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 80
U, V: 80
I, А: 1.0
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 809 St.:
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 80992 St.:
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IRF9540NPBF
Produktcode: 31944
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irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
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10+0.52 EUR
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 27718 St.:
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LM358N
Produktcode: 181180
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2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 285 St.:
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