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BC639 (Bipolartransistor NPN)

BC639 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

BC635,637,639.pdf
Produktcode: 1158
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 1 A
h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 1305 St.
  • 50 St. - stock Köln
  • 1255 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC639 BC639 MIC info-tbc639.pdf NPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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BC639 CDIL BC635_40-CDIL.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 244 Stücke:
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BC639 info-tbc639.pdf
BC639
Hersteller: MIC
NPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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BC639 BC635_40-CDIL.pdf
Hersteller: CDIL
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 200, hFE = 40...250, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC640
Produktcode: 3455
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BC636,638,640.pdf
BC640
Hersteller: MCC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 80
U, V: 80
I, А: 1.0
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 743 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.05 EUR
10+0.044 EUR
100+0.04 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 69305 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9540NPBF
Produktcode: 31944
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irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
auf Bestellung 636 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.58 EUR
10+0.52 EUR
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 V
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
auf Bestellung 22231 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
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LM358N
Produktcode: 181180
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2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 131 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
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