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BC639 (Bipolartransistor NPN)

BC639 (Bipolartransistor NPN) NXP

BC635,637,639.pdf
Produktcode: 1158
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 504 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC639 Hersteller : CDIL BC635, 637, 639 Rev5.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; ft, МГц = 200; hFE = 40...250; Р, Вт = 0,8; 2,75; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = Вивідний; TO-92-3
auf Bestellung 184 Stücke:
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BC639 Hersteller : MIC BC635, 637, 639 Rev5.pdf NPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639
auf Bestellung 1300 Stücke:
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BC639 BC639 Hersteller : ON Semiconductor 3668339067973932bc635.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Box
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BC639 BC639 Hersteller : onsemi BC635, 637, 639 Rev5.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
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BC639 BC639 Hersteller : onsemi BC637_D-2309937.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
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BC639 BC639 Hersteller : ONSEMI BC635-D.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 800mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
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U, V: 80
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Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
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h21: 250
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 40967 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Produktcode: 177484		 2n5400.pdf 2N5400-01.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
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Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1860 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BD140
Produktcode: 15292		 BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 2017 Stück
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