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BC639 (Bipolartransistor NPN)

BC639 (Bipolartransistor NPN) NXP

BC635,637,639.pdf
Produktcode: 1158
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 396 Stück:
50 Stück - stock Köln
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC639 Hersteller : MIC BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf NPN 1A 80V 800mW 150MHz Replacement for: BC637 BC639 TBC639
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BC639 Hersteller : CDIL BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; ft, МГц = 200; hFE = 40...250; Р, Вт = 0,8; 2,75; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = Вивідний; TO-92-3
auf Bestellung 184 Stücke:
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BC639 BC639 Hersteller : ON Semiconductor 3668339067973932bc635.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Box
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BC639 BC639 Hersteller : onsemi BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
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BC639 BC639 Hersteller : onsemi BC637_D-2037207.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
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BC639 BC639 Hersteller : NXP Semiconductors BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT
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BC639 BC639 Hersteller : Diodes Incorporated bc639-1163783.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC639 BC639 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C047158725FCF1A6F5005056AB5A8F&compId=BC635-D.pdf?ci_sign=5bd2a80bec6bfb3156dbca6dcba4a8cf31316960 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 800mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Power: 0.8W
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Hersteller: MCC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 80
U, V: 80
I, А: 1.0
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 568 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.04 EUR
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BC638
Produktcode: 79924
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bc638-datasheat.pdf
BC638
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 60
I, А: 1
h21,max: 160
verfügbar: 167 Stück
49 Stück - stock Köln
118 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.06 EUR
100+0.05 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 47772 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1200 Stück:
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 7886 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30020 Stück:
30000 Stück - erwartet 29.06.2025
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2N5401
Produktcode: 177484
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2n5400.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 401 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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