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IRLZ44NPBF

IRLZ44NPBF

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Produktcode: 35365
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 41 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 405 St.
  • 405 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRLZ44NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:41A
  • On State Resistance:0.022ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.8`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:83W
  • Power Dissipation Pd:83W
  • Pulse Current Idm:160A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Infineon Technologies irlz44npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.84 EUR
4000+0.83 EUR
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Infineon Technologies irlz44npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Infineon Technologies irlz44npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 32nC
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
auf Bestellung 4429 Stücke:
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41+2.09 EUR
59+1.45 EUR
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250+0.88 EUR
500+0.81 EUR
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Infineon Technologies irlz44npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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66+2.7 EUR
184+0.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Infineon Technologies irlz44npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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65+2.71 EUR
184+0.95 EUR
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500+0.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Infineon Technologies irlz44npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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180+0.94 EUR
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLZ44N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
auf Bestellung 29620 Stücke:
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2+3.25 EUR
10+1.55 EUR
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Infineon Technologies irlz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567217c32725 description Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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7+3.28 EUR
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF INFINEON INFN-S-A0012905732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 41944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
87+2.67 EUR
112+1.92 EUR
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5000+1.21 EUR
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IRLZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 22000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+0.84 EUR
4000+0.83 EUR
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IRLZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ44NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 32nC
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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184+0.95 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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180+0.94 EUR
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MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
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10+1.55 EUR
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IRLZ44NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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IRLZ44NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 41944 Stücke:
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10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 17701 St.
  • 17701 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
erwartet: 5000 St.
  • 5000 St. - erwartet
auf Bestellung: 46683 St.
  • 46683 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 4035
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2N2222 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 250 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
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AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5819
Produktcode: 172113
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1N5819
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrrm, V: 40 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,6 В
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 25 А
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 6000 St.
  • 6000 St. - erwartet 27.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.036 EUR
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220 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Produktcode: 13744
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220 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-220R-Hitano) (S)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 220 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1388 St.
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AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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