IRLZ44NPBF
Produktcode: 35365
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 41
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.5 EUR |
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Technische Details IRLZ44NPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:41A
- On State Resistance:0.022ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.8`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:2V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:83W
- Power Dissipation Pd:83W
- Pulse Current Idm:160A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRLZ44NPBF nach Preis ab 0.57 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 118636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube Gate-source voltage: ±16V Gate charge: 32nC On-state resistance: 22mΩ |
auf Bestellung 2146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 118647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB |
auf Bestellung 32816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 23350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLZ44NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 43708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.72 EUR |
| 4000+ | 0.68 EUR |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.72 EUR |
| 4000+ | 0.7 EUR |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.73 EUR |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 118636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 145+ | 1.01 EUR |
| 147+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.78 EUR |
| 4000+ | 0.76 EUR |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 475+ | 1.16 EUR |
| 527+ | 1.03 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 1.76 EUR |
| 59+ | 1.22 EUR |
| 77+ | 0.94 EUR |
| 100+ | 0.85 EUR |
| 250+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 1250+ | 0.6 EUR |
| 2000+ | 0.57 EUR |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 118647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 60+ | 2.47 EUR |
| 146+ | 0.97 EUR |
| 147+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 4000+ | 0.67 EUR |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
auf Bestellung 32816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.12 EUR |
| 10+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.28 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.91 EUR |
| 2000+ | 0.85 EUR |
| 5000+ | 0.82 EUR |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 23350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.45 EUR |
| 50+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 2000+ | 0.99 EUR |
| 5000+ | 0.9 EUR |
| 10000+ | 0.84 EUR |
| IRLZ44NPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 43708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K) Produktcode: 13787
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
auf Bestellung 24026 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.01 EUR |
| 100+ | 0.0056 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 70118 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 220 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-220R-Hitano) (S) Produktcode: 13744
1
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 220 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 220 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
verfügbar: 13323 St.
- 1388 St. - stock Köln
- 11935 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.01 EUR |
| 100+ | 0.0056 EUR |
| PC817A Produktcode: 18418
10
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|
![]() |
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 9806 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.25 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.088 EUR |
| Макетная плата 3x7 двухсторонняя, зеленая Produktcode: 144386
8
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 30x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 240 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 30x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 240 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 St.:
2000 St. - erwartet 15.07.20262000 St. - erwartet











