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IRLZ44NPBF

IRLZ44NPBF

irlz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567217c32725
Produktcode: 35365
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 41
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRLZ44NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:41A
  • On State Resistance:0.022ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.8`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:83W
  • Power Dissipation Pd:83W
  • Pulse Current Idm:160A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Hersteller : Infineon Technologies irlz44npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLZ44N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Hersteller : Infineon Technologies irlz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567217c32725 Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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IRLZ44NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - MOSFET, N-KANAL, 55V, 47A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLZ44NPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irlz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567217c32725 (MFET,N-CH,60V,50A,110W,TO-220AB)
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Hersteller : Infineon Technologies irlz44npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Hersteller : Infineon Technologies irlz44npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlz44n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlz44n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
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Макетная плата 3x7 двухсторонняя, зеленая
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Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 30x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 240 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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80000 St. - erwartet 17.04.2026
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 15724 St.
1164 St. - stock Köln
14560 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540NPBF
Produktcode: 31944
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irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
auf Bestellung 251 St.:
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10+0.52 EUR
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