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IRL1404PBF

IRL1404PBF

cueynm87tc4384f3.pdf
Produktcode: 57532
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 160
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL1404PBF IRL1404PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirl1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404PBF IRL1404PBF Hersteller : INFINEON 1915328.pdf Description: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
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IRL1404PBF IRL1404PBF Hersteller : Infineon Technologies irl1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b382824f0 Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V
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IRL1404PBF IRL1404PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL1404_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
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MBR20100CTG
Produktcode: 26154
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description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 285 St.:
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BD140
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 514 St.
104 St. - stock Köln
410 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 1650 St.
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IRF7316
Produktcode: 3743
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irf7316.pdf
IRF7316
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4.9
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 710/23
Gebr.: 2P
/: SMD
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1nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N102J1HL2-L)
Produktcode: 2901
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
1nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N102J1HL2-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 50V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 2,54mm
Part Nummer: R15N102J1HL-2L
verfügbar: 5996 St.
111 St. - stock Köln
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10000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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10nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W103K1HL2-L)
Produktcode: 2895
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxy.pdf
10nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W103K1HL2-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 50V
TKE: X7R
Präzision: ±10% K
Abmessungen: 2,54mm
Part Nummer: R15W103K1HL-2L
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 2900 St.
976 St. - stock Köln
1924 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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