IRL1404PBF
Produktcode: 57532
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 160 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/140
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRL1404PBF nach Preis ab 2.33 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
IRL1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
IRL1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
IRL1404PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRL1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.33 EUR |
| IRL1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.33 EUR |
| IRL1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.33 EUR |
| IRL1404PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
Description: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mit diesem Produkt kaufen
| MBR20100CTG Produktcode: 26154
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ON/LGE
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
auf Bestellung 214 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.92 EUR |
| BD140 (КТ814Г) Produktcode: 15292
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 1396 St.
- 104 St. - stock Köln
- 1292 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| IRF7316 Produktcode: 3743
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,058 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 710/23
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,058 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 710/23
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung 202 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.77 EUR |
| 1nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N102J1HL2-L-Hitano) Produktcode: 2901
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 50 V
TKE (Dielektrikum): NP0
Toleranz: ±5% J
Rastermaß: 2,54 mm
Part Number: R15N102J1HL-2L
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 50 V
TKE (Dielektrikum): NP0
Toleranz: ±5% J
Rastermaß: 2,54 mm
Part Number: R15N102J1HL-2L
verfügbar: 5364 St.
- 111 St. - stock Köln
- 5253 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.094 EUR |
| 1000+ | 0.082 EUR |
| 10000+ | 0.025 EUR |
| 10nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W103K1HL2-L-Hitano) Produktcode: 2895
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 50 V
TKE (Dielektrikum): X7R
Toleranz: ±10% K
Rastermaß: 2,54 mm
Part Number: R15W103K1HL-2L
UKTZED: 8532 24 00 00
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 50 V
TKE (Dielektrikum): X7R
Toleranz: ±10% K
Rastermaß: 2,54 mm
Part Number: R15W103K1HL-2L
UKTZED: 8532 24 00 00
verfügbar: 1575 St.
- 976 St. - stock Köln
- 599 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2000 St.
- 2000 St. - erwartet
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.094 EUR |







