IRL1404PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRL1404PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.
Weitere Produktangebote IRL1404PBF nach Preis ab 1.6 EUR bis 2.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRL1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRL1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRL1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRL1404PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm |
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IRL1404PBF Produktcode: 57532
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 40 Idd,A: 160 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 6590/140 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
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IRL1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 25 V |
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IRL1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC |
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IRL1404PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 93.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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