IRLR120NTRPBF
Produktcode: 22353
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.185
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLR120NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:11A
- Package/Case:D-PAK
- Power Dissipation, Pd:39W
- Continuous Drain Current - 100 Deg C:6.9A
- Drain Source On Resistance @ 10V:185mohm
Möglichen Substitutionen IRLR120NTRPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRLR120NPBF Produktcode: 32182
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 100 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
auf Bestellung 26 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRLR120NTRPBF nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 11542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC |
auf Bestellung 14823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR120NTRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 473 Stücke: |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR120NTRPBF | Hersteller : International Rectifier |
(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |