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IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR120NTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 41317271-5
Price: 900.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IRLR120NPBF Produktcode: 32182 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt		Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 100 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD	auf Bestellung 40 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 82000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

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2000+	0.57 EUR
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10000+	0.48 EUR
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IRLR120NTRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®

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64+	1.13 EUR
98+	0.73 EUR
130+	0.55 EUR
250+	0.49 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.41 EUR
2000+	0.37 EUR
4000+	0.33 EUR
6000+	0.31 EUR

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC

auf Bestellung 23085 Stücke:

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Anzahl	Preis
2+	1.72 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.59 EUR
2000+	0.52 EUR
4000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

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9+	2.11 EUR
14+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke

verfügbar 473 Stücke:

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IRLR120NTRPBF
Produktcode: 22353

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Hersteller : IR

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.185
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : International Rectifier

(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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