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IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF

irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
Produktcode: 22353
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRLR120NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:11A
  • Package/Case:D-PAK
  • Power Dissipation, Pd:39W
  • Continuous Drain Current - 100 Deg C:6.9A
  • Drain Source On Resistance @ 10V:185mohm

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
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irlr120npbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 27.08.2026
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
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IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
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description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 27.08.2026
auf Bestellung: 1 St.
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.57 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.57 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.57 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.58 EUR
87+0.99 EUR
118+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.7 EUR
148+1.14 EUR
193+0.83 EUR
217+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.7 EUR
148+1.17 EUR
193+0.87 EUR
217+0.76 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
auf Bestellung 49765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+0.99 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 16088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
50+1.01 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
139+1.68 EUR
181+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
139+1.68 EUR
181+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR120NTRPBF International Rectifier/Infineon irlr120npbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 473 Stücke:
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IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.54 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.54 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.57 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.57 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.57 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+1.58 EUR
87+0.99 EUR
118+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+1.7 EUR
148+1.14 EUR
193+0.83 EUR
217+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+1.7 EUR
148+1.17 EUR
193+0.87 EUR
217+0.76 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
auf Bestellung 49765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.96 EUR
10+0.99 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 16088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
50+1.01 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.9 EUR
139+1.68 EUR
181+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.9 EUR
139+1.68 EUR
181+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 473 Stücke:
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