IRLR120NTRPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.47 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRLR120NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Möglichen Substitutionen IRLR120NTRPBF Infineon Technologies
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR120NPBF Produktcode: 32182
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
 Transistoren > MOSFET N-CHUds,V: 100 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
auf Bestellung 434 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRLR120NTRPBF nach Preis ab 0.27 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2851 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 2851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF Produktcode: 22353
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 100 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 0.185 Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC |
auf Bestellung 4443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR120NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon |
Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET N-Channel U=100V I=10A Rds=185 mOhm @ 6A, 10V, 48 W |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |