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IRLR2705TRPBF

IRLR2705TRPBF

irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
Produktcode: 122892
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.4 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82000 Stücke:
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4000+0.37 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.55 EUR
4000+0.5 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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175+0.84 EUR
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500+0.46 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 68W
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 55V
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60+1.2 EUR
83+0.87 EUR
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500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
2000+0.31 EUR
4000+0.29 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
14+1.3 EUR
100+0.85 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR2705-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
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10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2199 Stücke:
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2199 Stücke:
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82000 Stücke:
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AnzahlPreis
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82000 Stücke:
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 68W
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 55V
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AnzahlPreis
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83+0.87 EUR
120+0.6 EUR
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 14674 Stücke:
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14+1.3 EUR
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500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
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IRLR2705TRPBF Infineon-IRLR2705-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
auf Bestellung 68254 Stücke:
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AnzahlPreis
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10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.53 EUR
4000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLR2705TRPBF INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2199 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLR2705TRPBF INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML2060TRPBF
Produktcode: 38415
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irlml2060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664b7fb25ee
IRLML2060TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 64/.67
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 309 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905
Produktcode: 30677
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description
IRLR2905
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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1+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida
Produktcode: 28829
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CDRH4D28.pdf
CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 10 uH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 4,7x4,7mm, h=3,0mm
Робочий струм, А: 1A
№ 7: 8504 50 20 90
verfügbar: 232 St.
  • 25 St. - stock Köln
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AnzahlPreis
1+0.44 EUR
10+0.32 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR4100X160/3500 (fotoempfindliche Platine 160x100 mm einseitig)
Produktcode: 25192
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FR4100X160/3500 (fotoempfindliche Platine 160x100 mm einseitig)
Hersteller: Bungard
Lötgeräte, Lötmaterial > Glasfaser, Fotolack
Kategorie: Fotoempfindliche Platine
Beschreibung: Fotoempfindliche Platine 100x160 mm, einseitig kupferkaschiert, positiver Fotoresist
Abmessungen: 100 x 160 mm
Dicke: 1,5 mm
Art: einseitig
verfügbar: 4 St.
    AnzahlPreis
    1+2.14 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BZV55-C27
    Produktcode: 14045
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		BZV55.pdf
    BZV55-C27
    Hersteller: YJ
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
    Gehäuse: SOD-80
    Ustab.,V: 27
    Istab.direkt,A: 0,25
    Pmax: 0,4
    Монтаж: SMD
    Температурний коефіцієнт: 22.7mV/K
    № 6: 8541100090
    verfügbar: 412 St.
    • 300 St. - stock Köln
    • 112 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPreis
    1+0.04 EUR
    10+0.03 EUR
    100+0.028 EUR
    1000+0.027 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH