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IRLR2705TRPBF

IRLR2705TRPBF

irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
Produktcode: 122892
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 134000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.4 EUR
4000+0.34 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.42 EUR
4000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E605A45B0F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2705pbf.pdf?ci_sign=b6baeb06276ab86ae10757cd8e517e59dd6be110 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
91+0.79 EUR
120+0.6 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E605A45B0F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2705pbf.pdf?ci_sign=b6baeb06276ab86ae10757cd8e517e59dd6be110 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Anzahl Preis
195+1.34 EUR
200+0.93 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 195
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLR2705-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
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10+1.02 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1980 Stücke:
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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47uF 400V EXR 16x31,5mm (EXR470M2GB-Hitano)
Produktcode: 17671
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EXR_080421.pdf
47uF 400V EXR 16x31,5mm (EXR470M2GB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 400V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 16x31,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 240 Stück
23 Stück - stock Köln
217 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
100+0.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2505PBF
Produktcode: 27992
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description irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500
IRL2505PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 328 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
Anzahl Preis
1+1.28 EUR
10+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KCD1-101 B/B
Produktcode: 166609
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kcd1-101_b_b-info.png
KCD1-101 B/B
+1
Hersteller: Daier
Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Gruppe: Перемикач Rocker
Ausg. oder SMD : Клеми з отвором
Abmessungen: 21x15x25 (з клемами) mm
Beschreibung: ON-OFF, 2 контакти, без підсвічування, на защіпках, колір чорний. Монтажний отвір: 19,2x13,2 mm
2
6 (4) A / 250 VAC
auf Bestellung 134 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 Stück:
4000 Stück - erwartet 12.01.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
82pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N820J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2219
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NPO.pdf
82pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N820J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 82pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 6138 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.012 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC807-25
Produktcode: 2039
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BC807_.pdf
BC807-25
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 400
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.021 EUR
1000+0.018 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH