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IRLR2705TRPBF

Name: IRLR2705TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 14584467-5
Price: 0.34 EUR
Availability: InStock

irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673

Produktcode: 122892

Hersteller: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irlr2705-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2000+	0.37 EUR
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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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103+	0.7 EUR
113+	0.63 EUR
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150+	0.48 EUR
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IRLR2705TRPBF

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

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2000+	0.71 EUR
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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

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14+	1.87 EUR
16+	1.62 EUR
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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLR2705_DataSheet_v01_01_EN-3363685.pdf

MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC

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32+	1.64 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.79 EUR
2000+	0.7 EUR
4000+	0.67 EUR

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : INFINEON

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon

Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A

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IRLR2705TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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22uF 16V X5R 10% 1210 (CL32A226KOJNNNE)
Produktcode: 148483

Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1210
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 16 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 1210

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IRFR5305PBF
Produktcode: 2560

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 25
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD

auf Bestellung 500 Stück:

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10+	0.47 EUR

0,1 Ohm 5% 1W 2512 (Widerstand SMD)
Produktcode: 3427

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,1 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512

verfügbar: 1792 Stück

erwartet: 4000 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	0.056 EUR
100+	0.048 EUR
1000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 10

0 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4159

Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 0 Ohm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603

verfügbar: 5000 Stück

erwartet: 60000 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	0.0024 EUR
100+	0.0014 EUR
1000+	0.00078 EUR

Mindestbestellmenge: 10

2,4 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4499

Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 2,4 kOhm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603

verfügbar: 80800 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	0.0024 EUR
100+	0.0014 EUR
1000+	0.00078 EUR

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