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IRLR2705TRPBF

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irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
Produktcode: 122892
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 880/25
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2000+0.38 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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2000+0.42 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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283+0.61 EUR
500+0.45 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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135+1.3 EUR
254+0.67 EUR
283+0.57 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR2705-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2529 Stücke:
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226+1.04 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2529 Stücke:
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1679 Stücke:
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.38 EUR
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 234000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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4000+0.35 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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10000+0.35 EUR
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.42 EUR
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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283+0.61 EUR
500+0.45 EUR
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.3 EUR
254+0.67 EUR
283+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 23431 Stücke:
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
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226+1.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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IRLR2705TRPBF INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0A, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Produktcode: 28829
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CDRH4D28.pdf
CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0A, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 10 µH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, gewickelt im gepanzerten Ferritkern, 10uH, ±30%, Idc=1.0A, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm
Typ: CDRH4
Abmessungen: 4,7x4,7 mm, h=3,0 mm
Betriebsstrom, A: 1 A
Warennummer: 8504 50 20 90
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 97 St.
  • 97 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.33 EUR
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FR4100X160/3500 (lichtempfindliche Platine 160x100 мм einseitig)
Produktcode: 25192
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FR4100X160/3500 (lichtempfindliche Platine 160x100 мм einseitig)
Hersteller: Bungard
Lötgeräte, Lötmaterial > Glasfaser, Fotolack
Kategorie: Lichtempfindliche Platine
Beschreibung: Lichtempfindliche Platine 100x160 мм mit einseitiger Kaschierung, Positiv-Fotolack
Abmessungen: 100 x 160 mm
Dicke: 1,5 мм
Art: einseitig
verfügbar: 4 St.
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  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BZV55-C27
Produktcode: 14045
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BZV55.pdf
BZV55-C27
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 27 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 2 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 22,7 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
verfügbar: 300 St.
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16+0.079 EUR
28+0.043 EUR
100+0.033 EUR
1000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4119
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1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
erwartet: 10000 St.
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AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,5 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1K5R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4100
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RC_series.pdf
1,5 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1K5R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1,5 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 4850 St.
  • 4850 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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110+0.012 EUR
200+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 110 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH