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IRLR2705TRPBF

IRLR2705TRPBF

irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
Produktcode: 122892
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 196000 Stücke:
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLR2705-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905
Produktcode: 30677
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description
IRLR2905
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD
auf Bestellung 32 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida
Produktcode: 28829
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CDRH4D28.pdf
CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 10 uH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 4,7x4,7mm, h=3,0mm
Робочий струм, А: 1A
№ 7: 8504 50 20 90
verfügbar: 43 St.
25 St. - stock Köln
18 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 307 St.
300 St. - erwartet 23.04.2026
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10+0.32 EUR
100+0.28 EUR
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IRL2505PBF
Produktcode: 27992
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description irl2505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b6c032500
IRL2505PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 141 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.28 EUR
10+1.26 EUR
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FR4100X160/3500 (lichtempfindliche Platte 160x100mm einseitigя)
Produktcode: 25192
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FR4100X160/3500 (lichtempfindliche Platte 160x100mm einseitigя)
Hersteller: Bungard
Lötgeräte, Lötmaterial > Glasfaser, Fotolack
Art: lichtempfindliche Platte
Beschreibung: lichtempfindliche Platte 160x100mm mit einseitiger Folien, positiven Photoresist
Abmessungen: 160 x 100 mm
Товщина: 1,5 mm
Вид: односторонній
verfügbar: 4 St.
Anzahl Preis
1+2.14 EUR
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BZV55-C27
Produktcode: 14045
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BZV55.pdf
BZV55-C27
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 27
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 22.7mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 412 St.
300 St. - stock Köln
112 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.028 EUR
1000+0.027 EUR
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