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IRLR2705TRPBF

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irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 IRSDS10966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 122892
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 28 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 880/25
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 72 St.
  • 72 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.42 EUR
4000+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 126000 Stücke:
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.43 EUR
4000+0.39 EUR
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14000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.89 EUR
284+0.6 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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197+0.89 EUR
284+0.61 EUR
500+0.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 5192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.43 EUR
83+1.04 EUR
120+0.71 EUR
141+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
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4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 14212 Stücke:
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13+1.71 EUR
20+1.06 EUR
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500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR2705-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
auf Bestellung 61513 Stücke:
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1000+0.54 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.34 EUR
162+1.44 EUR
205+1.05 EUR
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IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.42 EUR
4000+0.35 EUR
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.42 EUR
4000+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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4000+0.39 EUR
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14000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
197+0.89 EUR
284+0.6 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
197+0.89 EUR
284+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 5192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+1.43 EUR
83+1.04 EUR
120+0.71 EUR
141+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 14212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.71 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IRLR2705TRPBF Infineon-IRLR2705-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IRLR2705TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
auf Bestellung 61513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.05 EUR
10+1.45 EUR
100+0.9 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2705TRPBF INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2939 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
107+2.34 EUR
162+1.44 EUR
205+1.05 EUR
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1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IRLR2705TRPBF INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
107+2.34 EUR
162+1.44 EUR
205+1.05 EUR
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1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IRLML2060TRPBF
Produktcode: 38415
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irlml2060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664b7fb25ee
IRLML2060TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 64/.67
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
auf Bestellung: 254 St.
  • 254 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.14 EUR
100+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905
Produktcode: 30677
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description
IRLR2905
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
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10+0.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0A, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Produktcode: 28829
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CDRH4D28.pdf
CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0A, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 10 µH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, gewickelt im gepanzerten Ferritkern, 10uH, ±30%, Idc=1.0A, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm
Typ: CDRH4
Abmessungen: 4,7x4,7 mm, h=3,0 mm
Betriebsstrom, A: 1 A
Warennummer: 8504 50 20 90
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 182 St.
  • 182 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.38 EUR
100+0.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR4100X160/3500 (lichtempfindliche Platine 160x100 мм einseitig)
Produktcode: 25192
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FR4100X160/3500 (lichtempfindliche Platine 160x100 мм einseitig)
Hersteller: Bungard
Lötgeräte, Lötmaterial > Glasfaser, Fotolack
Kategorie: Lichtempfindliche Platine
Beschreibung: Lichtempfindliche Platine 100x160 мм mit einseitiger Kaschierung, Positiv-Fotolack
Abmessungen: 100 x 160 mm
Dicke: 1,5 мм
Art: einseitig
verfügbar: 4 St.
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BZV55-C27
Produktcode: 14045
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BZV55-C27
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 27 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 2 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 22,7 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
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