Technische Details IRLR2905 IR
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: D-Pak (TO-252), Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V, Drain-Strom Idd, A: 42 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48, Montage: SMD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IRLR2905 Produktcode: 30677
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLR2905 Produktcode: 30677
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Montage: SMD
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| 3+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |