IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLR2905TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:36A
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- On Resistance, Rds(on):40mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
- Power Dissipation, Pd:110W
Möglichen Substitutionen IRLR2905TRPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 181683
1
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Lieblingsprodukt
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Китай |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 60 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm JHGF: SMD |
auf Bestellung 2036 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR2905TRPBF Produktcode: 181683
1
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 2036 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Weitere Produktangebote IRLR2905TRPBF nach Preis ab 0.57 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 13831 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 13831 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 2077 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
auf Bestellung 10958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 8520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 8520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 241+ | 0.6 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 241+ | 0.6 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.64 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.69 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.91 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.91 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 496+ | 1.09 EUR |
| 551+ | 0.97 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 1.93 EUR |
| 85+ | 0.85 EUR |
| 90+ | 0.8 EUR |
| 96+ | 0.75 EUR |
| 97+ | 0.74 EUR |
| 103+ | 0.7 EUR |
| 200+ | 0.66 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 69+ | 2.1 EUR |
| 103+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| 2000+ | 0.87 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 10958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.43 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 2000+ | 0.92 EUR |
| 4000+ | 0.88 EUR |
| IRLR2905TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 8520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLR2905TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 8520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 220 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CFM14JT220R-Stackpole) Produktcode: 92206
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: SR PASSIVES
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 220 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,4 mm
Abmessungen: вугільно-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 220 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,4 mm
Abmessungen: вугільно-плівкові
auf Bestellung 17578 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K) Produktcode: 13787
6
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
auf Bestellung 24166 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.01 EUR |
| 100+ | 0.0056 EUR |
| 1,0uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG-Samsung) Produktcode: 60674
2
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1,0uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1,0uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 2345 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.06 EUR |
| 100+ | 0.025 EUR |
| 1000+ | 0.02 EUR |
| 10000+ | 0.018 EUR |
| BAT54WS Produktcode: 194283
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Jingdao
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOD-323
Vrrm(V): 30 V
If(A): 0,2 A
VF@IF: 1 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 13 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOD-323
Vrrm(V): 30 V
If(A): 0,2 A
VF@IF: 1 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 13 A
auf Bestellung 2562 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRFR9024NTRPBF Produktcode: 23070
5
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
verfügbar: 1094 St.
- 15 St. - stock Köln
- 1079 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.34 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |










