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IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF

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Produktcode: 86018
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 1073 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRLR2905TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Möglichen Substitutionen IRLR2905TRPBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Produktcode: 181683
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Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Montage: SMD
auf Bestellung 2036 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF
Produktcode: 181683
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description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Montage: SMD
auf Bestellung 2036 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12831 Stücke:
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.74 EUR
4000+0.67 EUR
6000+0.61 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.76 EUR
4000+0.68 EUR
6000+0.62 EUR
10000+0.57 EUR
14000+0.54 EUR
20000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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2000+0.76 EUR
4000+0.69 EUR
6000+0.64 EUR
10000+0.61 EUR
14000+0.57 EUR
20000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
496+1.33 EUR
551+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 496 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.26 EUR
116+1.48 EUR
164+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.26 EUR
116+1.51 EUR
164+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+2.3 EUR
85+1.01 EUR
90+0.95 EUR
96+0.89 EUR
97+0.88 EUR
103+0.83 EUR
200+0.79 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 8510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 8510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
94+2.49 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 10583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.56 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.09 EUR
4000+1.05 EUR
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IRLR2905TRPBF International Rectifier/Infineon irlr2905pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 94 Stücke:
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IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
241+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
241+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.74 EUR
4000+0.67 EUR
6000+0.61 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.76 EUR
4000+0.68 EUR
6000+0.62 EUR
10000+0.57 EUR
14000+0.54 EUR
20000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.76 EUR
4000+0.69 EUR
6000+0.64 EUR
10000+0.61 EUR
14000+0.57 EUR
20000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
496+1.33 EUR
551+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 496 Stücke
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IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+2.26 EUR
116+1.48 EUR
164+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+2.26 EUR
116+1.51 EUR
164+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRLR2905TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+2.3 EUR
85+1.01 EUR
90+0.95 EUR
96+0.89 EUR
97+0.88 EUR
103+0.83 EUR
200+0.79 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 8510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.49 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 8510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+4.02 EUR
94+2.49 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.27 EUR
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IRLR2905TRPBF description Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 10583 Stücke:
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10+2.56 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.09 EUR
4000+1.05 EUR
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IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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220 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CF1/4W-220R)
Produktcode: 92206
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cf_resistor-datasheet.pdf
220 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CF1/4W-220R)
Hersteller: SR PASSIVES
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 220 Ом
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 Вт
Betriebsspannung, V: 250 В
Abmessungen: 6x2.3 mm; Dlead=0.4 mm
Typ: Kohleschicht
auf Bestellung 17438 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Produktcode: 13787
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10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
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AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Produktcode: 60674
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 2305 St.:
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AnzahlPrivatkunde
10+0.071 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.024 EUR
10000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT54WS
Produktcode: 194283
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BAT54WS
Hersteller: Jingdao
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOD-323
Sperrspannung Vrrm, V: 30 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 0,2 А
Durchlassspannung Vf, V: 1 В
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 13 А
auf Bestellung 2512 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF
Produktcode: 23070
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description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 1026 St.
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  • 1011 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH