IRLR2905TRPBF Китай
Produktcode: 181683
Hersteller: КитайGehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRLR2905TRPBF Китай
- MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:36A
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- On Resistance, Rds(on):40mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
- Power Dissipation, Pd:110W
Möglichen Substitutionen IRLR2905TRPBF Китай
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IRLR2905 Produktcode: 30677 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 55 Idd,A: 42 Rds(on), Ohm: 0.027 Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 JHGF: SMD |
verfügbar: 1515 Stück
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Weitere Produktangebote IRLR2905TRPBF nach Preis ab 0.45 EUR bis 3.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 86018 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: DPAK-3 Uds,V: 55 Idd,A: 42 Rds(on), Ohm: 0.027 Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
verfügbar: 4056 Stück
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 16463 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 3630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 3630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| IRLR024NTRPBF Produktcode: 22061 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 2052 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.26 EUR |
| 10+ | 0.23 EUR |
| 2N2907A[KSP2907A] (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 30196 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-39
fT: 200 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,6
h21: 150
ZCODE: THT
Gehäuse: TO-39
fT: 200 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,6
h21: 150
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| IRLR2905TRPBF Produktcode: 86018 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 4056 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| Дротяний припій, 1mm, 16g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2 5% Ø1.0, 16g Produktcode: 99859 |
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Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Припій з флюсом
Beschreibung: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Gewicht: 16 g
Durchschnitt: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Припій з флюсом
Beschreibung: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Gewicht: 16 g
Durchschnitt: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
auf Bestellung 1745 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 1.2 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| IRLU2905Z Produktcode: 182753 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Управление логическим уровнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Управление логическим уровнем
JHGF: THT
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