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IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF Китай

irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
Produktcode: 181683
Hersteller: Китай
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 2097 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRLR2905TRPBF Китай

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Möglichen Substitutionen IRLR2905TRPBF Китай

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLR2905 IRLR2905
Produktcode: 30677
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Hersteller : IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD
auf Bestellung 34 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
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Hersteller : IR irlr2905pbf-datashet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 1287 St.:
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1+0.5 EUR
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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241+0.59 EUR
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.63 EUR
4000+0.6 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.63 EUR
4000+0.6 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.74 EUR
4000+0.69 EUR
6000+0.68 EUR
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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496+1.08 EUR
551+0.94 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 496
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
51+1.42 EUR
60+1.21 EUR
71+1.02 EUR
87+0.82 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 3211 Stücke:
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2+2.78 EUR
10+1.62 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 44635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.97 EUR
10+1.88 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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74HC373D.653
Produktcode: 25623
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74hc_hct373.pdf
74HC373D.653
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-20
Beschreibung: Octal D-type transparent latch; 3-state
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 2...6V
T°C: -40...+125°C
Тип логіч. елем.: D-type transparent latch
auf Bestellung 108 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.14 EUR
100+0.1 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1817 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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LM358P
Produktcode: 24924
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
LM358P
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz: 40; Verfügbarkeit R-to-R: -
ZCODE: 2
Монтаж: THT
verfügbar: 1076 St.
18 St. - stock Köln
1058 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.15 EUR
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Sicherung 6х30mm 5A 250V
Produktcode: 22086
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Sicherung 6х30mm 5A 250V
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 5A 250V 6x30mm F
Nennstrom, А: 5A
Größe: 6х30mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
auf Bestellung 3948 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
100+0.031 EUR
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UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Produktcode: 17804
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description UF4001-4007.pdf
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
ZCODE: 8541 10 00 10
verfügbar: 2103 St.
1035 St. - stock Köln
1068 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.45 EUR
100+0.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH