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IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF Китай

irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
Produktcode: 181683
Hersteller: Китай
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet 1500 Stück:
1500 Stück - erwartet 20.06.2025
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Technische Details IRLR2905TRPBF Китай

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRLR2905 IRLR2905
Produktcode: 30677
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Hersteller : IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
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Hersteller : IR irlr2905pbf-datashet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 6 Stück
erwartet: 3000 Stück
3000 Stück - erwartet 20.06.2025
Anzahl Preis
1+0.50 EUR
10+0.45 EUR
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
251+0.58 EUR
276+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 251
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
241+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 241
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
241+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 241
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.78 EUR
4000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.79 EUR
4000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.83 EUR
4000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+1.05 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
496+1.11 EUR
551+0.96 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 496
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
63+1.15 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
63+1.15 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 4649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.57 EUR
11+1.64 EUR
100+1.19 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR2905_DataSheet_v01_01_EN-3363438.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLU2905Z
Produktcode: 182753
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irlr2905z-datasheet.pdf
IRLU2905Z
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Управление логическим уровнем
JHGF: THT
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Stecker 8P8C (TP8-8P8C)(RJ45W)
Produktcode: 8283
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YH-012 8P8C.pdf
Stecker 8P8C (TP8-8P8C)(RJ45W)
+1
Hersteller: CZT
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Telefon (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Beschreibung: Stecker 8P8C
Typ: RJ45
Stecker/Steckdose: Stecker
Anzahl der Kontakte: 8C
№ 6: 8536699090
auf Bestellung 1926 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.09 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.07 EUR
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MPX(class X2) 680nF 310VAC K(+/-10%), P=27,5mm, 11x20x32mm (MPX684K2FB-Hitano)
Produktcode: 6562
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MPX_081006.pdf
MPX(class X2) 680nF 310VAC K(+/-10%), P=27,5mm, 11x20x32mm (MPX684K2FB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 310VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 11x20x32mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
Abschwächungskonstante: 0,1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MPX684K2FB
ZCODE: 8532 25 00 00
auf Bestellung 719 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.58 EUR
10+0.53 EUR
100+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3314
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RC_series.pdf
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 9581 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 Stück:
10000 Stück - erwartet 28.08.2025
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0,82 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R82)
Produktcode: 3269
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SQP_080911.pdf
0,82 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R82)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,82 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
verfügbar: 142 Stück
60 Stück - stock Köln
82 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.10 EUR
10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH