IRLR2905PBF
Produktcode: 102405
Hersteller: IRGehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
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Möglichen Substitutionen IRLR2905PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 86018
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: DPAK-3 Uds,V: 55 Idd,A: 42 Rds(on), Ohm: 0.027 Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
auf Bestellung 2004 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLR2905PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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IRLR2905PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
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IRLR2905PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
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