Weitere Produktangebote IRLR3110ZTRLPBF nach Preis ab 0.86 EUR bis 4.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl |
auf Bestellung 42064 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 250A On-state resistance: 14mΩ Gate-source voltage: ±16V |
Produkt ist nicht verfügbar |