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IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF
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Hersteller : IR irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 40
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0049
Ciss, pF/Qg, nC: 3810/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 5 Stück
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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3000+0.47 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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476+1.14 EUR
528+0.99 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Транзистор МОП TO-252AA (DPAK) 40V 1 N-CH HEXFET 4,9mOhms 42А; 140W (Tc)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1+5.16 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF
Produktcode: 122894
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Hersteller : IR irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.6 EUR
20+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN-3363483.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
auf Bestellung 8782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.63 EUR
10+0.87 EUR
100+0.83 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F0A43EA42F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3114zpbf.pdf?ci_sign=b67d9f56423182b820e3c12a3af3a3ea7058ed1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F0A43EA42F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3114zpbf.pdf?ci_sign=b67d9f56423182b820e3c12a3af3a3ea7058ed1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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