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IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF

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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,9 мОм
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF
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IR irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3810/40
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3810/40
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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64+2.78 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 41 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
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IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
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10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 241191 St.
  • 241191 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Produktcode: 60735
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yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung: 49250 St.
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1208
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X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 9407 St.
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16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2266
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NPO.pdf
16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 16 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 3852 St.
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100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2980
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ECR_081225.pdf
100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 3132 St.
  • 3132 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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