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IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF

irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf
Produktcode: 122894
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF
Produktcode: 36781
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Hersteller : IR irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 40
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0049
Ciss, pF/Qg, nC: 3810/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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320+0.45 EUR
324+0.43 EUR
329+0.41 EUR
333+0.39 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 320
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251+0.58 EUR
316+0.44 EUR
320+0.42 EUR
324+0.4 EUR
329+0.38 EUR
333+0.36 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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2000+0.7 EUR
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2000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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172+0.84 EUR
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476+1.14 EUR
528+0.99 EUR
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528+0.99 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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12+1.58 EUR
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100+0.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 12
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLR3114Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
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2+1.59 EUR
10+0.89 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17979 Stücke:
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17979 Stücke:
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F0A43EA42F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3114zpbf.pdf?ci_sign=b67d9f56423182b820e3c12a3af3a3ea7058ed1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3940
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X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
verfügbar: 3524 Stück
1200 Stück - stock Köln
2324 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 8000 Stück
8000 Stück - erwartet 25.12.2025
Anzahl Preis
10+0.02 EUR
100+0.0062 EUR
1000+0.0031 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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150pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N151J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3934
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NPO.pdf
150pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N151J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 150pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
verfügbar: 4710 Stück
1200 Stück - stock Köln
3510 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 12000 Stück
12000 Stück - erwartet 25.01.2026
Anzahl Preis
10+0.02 EUR
100+0.0062 EUR
1000+0.0033 EUR
10000+0.0029 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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47 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-47R-Hitano)
Produktcode: 3462
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CR-S_080911.pdf
47 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-47R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 47 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,64mm
Typ: Kohlen-, miniatur
Температура: -55...+125°C
auf Bestellung 1214 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.018 EUR
100+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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LD1117S33CTR
Produktcode: 2052
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LD1117 series.pdf
LD1117S33CTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Uin, V: 15
Uout,V: 3.3
Iout,A: 0.8
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: -40…150
verfügbar: 2218 Stück
20 Stück - stock Köln
2198 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.39 EUR
100+0.22 EUR
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BC807-25
Produktcode: 2039
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BC807_.pdf
BC807-25
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 400
ZCODE: 8541 21 00 90
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