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IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF

irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf
Produktcode: 122894
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF
Produktcode: 36781
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Hersteller : IR irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 40
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0049
Ciss, pF/Qg, nC: 3810/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2000+0.8 EUR
4000+0.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2000+0.81 EUR
4000+0.77 EUR
6000+0.69 EUR
10000+0.66 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2000+0.84 EUR
4000+0.78 EUR
6000+0.75 EUR
10000+0.71 EUR
14000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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476+1.14 EUR
528+0.99 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 476
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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auf Bestellung 2000 Stücke:
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105+1.38 EUR
142+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Anzahl Preis
78+1.73 EUR
100+1.66 EUR
250+1.59 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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78+1.8 EUR
100+1.73 EUR
250+1.66 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
3000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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6+2.94 EUR
10+1.86 EUR
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1000+0.91 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
auf Bestellung 5856 Stücke:
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Anzahl Preis
1+2.96 EUR
10+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
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2000+0.83 EUR
4000+0.81 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15530 Stücke:
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3114zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Klemmen 15EDGK-3.5-06P-14-00Z(H)
Produktcode: 19770
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15edgk.pdf
Klemmen 15EDGK-3.5-06P-14-00Z(H)
Hersteller: Degson
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Beschreibung: Schritt: 3,5mm, Anzahl Kontakte: 06P, Spannung/Strom: 300V/8A, fur Draht: 28-16AWG 1,5mm2
Schritt, mm: 3,5mm
Anzahl Kontakte: 6
Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
№ 7: 8536699090
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9,31 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4241
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9,31 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 9,31 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 19589 St.
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11 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4102
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11 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 11 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 7149 St.
5000 St. - stock Köln
2149 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20000 St.
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Anzahl Preis
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100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
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1,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3703
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RC_series.pdf
1,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1,5 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 13354 St.
1200 St. - stock Köln
12154 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5305PBF
Produktcode: 2560
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irfr5305pbf.pdf
IRFR5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 25
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD
auf Bestellung 1044 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.48 EUR
10+0.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH