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IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF

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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
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JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF
Produktcode: 36781
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IR irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 40
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0049
Ciss, pF/Qg, nC: 3810/40
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JHGF: SMD
verfügbar: 5 St.
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    IRLR3114ZPBF
    Produktcode: 36781
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    		description irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
    IRLR3114ZPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: D-Pak
    Uds,V: 40
    Idd,A: 130
    Rds(on), Ohm: 0.0049
    Ciss, pF/Qg, nC: 3810/40
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
      Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
      Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
      auf Bestellung 17500 Stücke:
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      2000+0.84 EUR
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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      528+1.02 EUR
      1000+0.92 EUR
      Mindestbestellmenge: 476 Stücke
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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      1000+0.83 EUR
      2000+0.69 EUR
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
      Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
      Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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      6+2.94 EUR
      10+1.86 EUR
      100+1.25 EUR
      500+0.99 EUR
      1000+0.91 EUR
      Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
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      1+3.19 EUR
      10+2.02 EUR
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      4000+0.89 EUR
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      Drain-Source-Spannung Vds: 40V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 42A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      usEccn: EAR99
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
      euEccn: NLR
      Verlustleistung: 140W
      Bauform - Transistor: TO-252AA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: HEXFET
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      Kanaltyp: n-Kanal
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      auf Bestellung 15530 Stücke:
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      		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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      IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      Drain-Source-Spannung Vds: 40V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 42A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      usEccn: EAR99
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
      euEccn: NLR
      Verlustleistung: 140W
      Bauform - Transistor: TO-252AA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: HEXFET
      productTraceability: No
      Kanaltyp: n-Kanal
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      auf Bestellung 15530 Stücke:
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      		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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      IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
      auf Bestellung 24000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      2000+0.81 EUR
      4000+0.79 EUR
      6000+0.76 EUR
      10000+0.74 EUR
      14000+0.72 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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      IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
      auf Bestellung 24000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      2000+0.81 EUR
      4000+0.77 EUR
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      10000+0.7 EUR
      14000+0.66 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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      IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
      Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
      Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
      auf Bestellung 17500 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPreis
      2000+0.84 EUR
      4000+0.78 EUR
      6000+0.75 EUR
      10000+0.71 EUR
      14000+0.7 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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      IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
      auf Bestellung 4000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      476+1.15 EUR
      528+1.02 EUR
      1000+0.92 EUR
      Mindestbestellmenge: 476 Stücke
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      IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
      auf Bestellung 4000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      476+1.15 EUR
      528+1.02 EUR
      1000+0.92 EUR
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      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
      auf Bestellung 2000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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      105+1.4 EUR
      140+1.04 EUR
      500+0.82 EUR
      1000+0.77 EUR
      2000+0.65 EUR
      Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
      auf Bestellung 3730 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPreis
      77+1.83 EUR
      78+1.76 EUR
      100+1.69 EUR
      250+1.62 EUR
      500+1.55 EUR
      1000+1.48 EUR
      3000+1.47 EUR
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      IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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      Hersteller: Infineon Technologies
      Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
      Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
      Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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      IRLR3114ZTRPBF Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: Infineon Technologies
      MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
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      IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: INFINEON
      Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      Drain-Source-Spannung Vds: 40V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 42A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      usEccn: EAR99
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
      euEccn: NLR
      Verlustleistung: 140W
      Bauform - Transistor: TO-252AA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: HEXFET
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      Kanaltyp: n-Kanal
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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      IRLR3114ZTRPBF
      Hersteller: INFINEON
      Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      Drain-Source-Spannung Vds: 40V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 42A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      usEccn: EAR99
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
      euEccn: NLR
      Verlustleistung: 140W
      Bauform - Transistor: TO-252AA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: HEXFET
      productTraceability: No
      Kanaltyp: n-Kanal
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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      Klemmen 15EDGK-3.5-06P-14-00Z(H)
      Produktcode: 19770
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      		15edgk.pdf
      Klemmen 15EDGK-3.5-06P-14-00Z(H)
      Hersteller: Degson
      Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
      Beschreibung: Schritt: 3,5mm, Anzahl Kontakte: 06P, Spannung/Strom: 300V/8A, fur Draht: 28-16AWG 1,5mm2
      Schritt, mm: 3,5mm
      Anzahl Kontakte: 6
      Клемник роз’ємного типу
      Номінальний струм: 8 А
      № 7: 8536699090
      auf Bestellung 2571 St.:
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      9,31 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
      Produktcode: 4241
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      9,31 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
      Hersteller: Uni-Ohm
      Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
      Resistenz: 9,31 kOhm
      Präzision: ±1% F
      P Nenn.,W: 0,125W
      U Betriebs.,V: 150V
      Größe Typ: 0805
      verfügbar: 19489 St.
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      11 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
      Produktcode: 4102
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      		RC_series.pdf
      11 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
      Hersteller: Uni-Ohm
      Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
      Resistenz: 11 kOhm
      Präzision: ±1% F
      P Nenn.,W: 0,125W
      U Betriebs.,V: 150V
      Größe Typ: 0805
      verfügbar: 5949 St.
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      10+0.005 EUR
      100+0.0034 EUR
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      1,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
      Produktcode: 3703
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      		RC_series.pdf
      1,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
      Hersteller: Hitano
      Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
      Resistenz: 1,5 kOhm
      Präzision: ±5% J
      P Nenn.,W: 0,125W
      U Betriebs.,V: 150V
      Größe Typ: 0805
      verfügbar: 12954 St.
      • 1200 St. - stock Köln
      • 11754 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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      • 20000 St. - erwartet
      AnzahlPreis
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      100+0.0024 EUR
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      Mindestbestellmenge: 10 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFR5305PBF
      Produktcode: 2560
      2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		irfr5305pbf.pdf
      IRFR5305PBF
      Hersteller: IR
      Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
      Gehäuse: D-Pak
      Uds,V: 55
      Id,A: 25
      Rds(on),Om: 0.065
      Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
      /: SMD
      auf Bestellung 611 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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      1+0.48 EUR
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH