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IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF

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Produktcode: 122894
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,9 мОм
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF
Produktcode: 36781
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IR irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3810/40
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
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IRLR3114ZPBF
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IRLR3114ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3810/40
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.9 EUR
6000+0.81 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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592+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 592 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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592+1.09 EUR
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10000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 592 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.29 EUR
157+1.08 EUR
172+0.96 EUR
500+0.81 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3730 Stücke:
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106+1.51 EUR
107+1.45 EUR
250+1.38 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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109+1.59 EUR
134+1.24 EUR
157+1.02 EUR
172+0.89 EUR
500+0.74 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.62 EUR
107+1.59 EUR
250+1.56 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5462 Stücke:
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63+2.74 EUR
93+1.84 EUR
119+1.39 EUR
136+1.2 EUR
500+0.94 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.83 EUR
90+1.86 EUR
116+1.39 EUR
132+1.17 EUR
500+0.89 EUR
2000+0.75 EUR
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
auf Bestellung 20426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineon_irlr3114z_datasheet_en.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
auf Bestellung 5177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+1.55 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.84 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.84 EUR
6000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.87 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.87 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.9 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
592+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 592 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
592+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
10000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 592 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+1.29 EUR
157+1.08 EUR
172+0.96 EUR
500+0.81 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+1.51 EUR
107+1.45 EUR
250+1.38 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+1.59 EUR
134+1.24 EUR
157+1.02 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+1.62 EUR
107+1.59 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5462 Stücke:
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63+2.74 EUR
93+1.84 EUR
119+1.39 EUR
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500+0.94 EUR
2000+0.81 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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61+2.83 EUR
90+1.86 EUR
116+1.39 EUR
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500+0.89 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3114ZTRPBF infineon_irlr3114z_datasheet_en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
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IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
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IRLR3114ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
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10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 160604 St.
  • 160604 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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200+0.012 EUR
1000+0.0086 EUR
10000+0.0063 EUR
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Produktcode: 60735
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yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
erwartet: 250000 St.
  • 200000 St. - erwartet 01.11.2026
  • 50000 St. - erwartet
auf Bestellung: 17156 St.
  • 17156 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.039 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.027 EUR
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 40 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TXS0108EPWR
Produktcode: 108588
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txs0108e
TXS0108EPWR
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: TSSOP-20
Beschreibung: 8-Bit bidirektional, Level-mit Pegelwandlung, Pegelwandler
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 1,65...5,5 В
Temperatur, °C: -40...+85°C
auf Bestellung: 97 St.
  • 97 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+2.25 EUR
10+2.03 EUR
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L-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-Fit
Produktcode: 205427
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kls1-xm1-3_00.pdf
L-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-FitL-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-Fit
L-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-FitL-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-Fit
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Mini-Fit und Micro-Fit
Beschreibung: Buchse für Platine "weiblich", 2 Reihen für 4 Kontakte. Spannung / Strom: 250V / 5A,
Anschlusstyp: Micro-Fit
Montage: Platine
Steckverbinder: Buchse
Zahl der Kontakte: 8
Kontaktabstand: 3 мм
auf Bestellung: 4428 St.
  • 4428 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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5+0.27 EUR
10+0.25 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
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10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1208
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X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 3937 St.
  • 3937 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.036 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.0064 EUR
Mindestbestellmenge: 40 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH