IRLR3114ZPBF
Produktcode: 36781
Hersteller: IRGehäuse: D-Pak
Uds,V: 40
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0049
Ciss, pF/Qg, nC: 3810/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IRLR3114ZPBF IR
- MOSFET, N D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:130A
- On State Resistance:0.0049ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2.5V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Max Voltage Vds:40V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:140W
- Pulse Current Idm:500A
- Typ Charge Qrr @ Tj = 25`C:40nC
- Transistor Case Style:D-PAK
Möglichen Substitutionen IRLR3114ZPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IRLR3114ZTRPBF Produktcode: 122894 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 40 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
auf Bestellung 49 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRLR3114ZPBF
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IRLR3114ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
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IRLR3114ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC |
Produkt ist nicht verfügbar |