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IRLR3114ZPBF

IRLR3114ZPBF

irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
Produktcode: 36781
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 40
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0049
Ciss, pF/Qg, nC: 3810/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLR3114ZPBF IR

  • MOSFET, N D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:130A
  • On State Resistance:0.0049ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Max Voltage Vds:40V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:140W
  • Pulse Current Idm:500A
  • Typ Charge Qrr @ Tj = 25`C:40nC
  • Transistor Case Style:D-PAK

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IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF
Produktcode: 122894
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Hersteller : IR irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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IRLR3114ZPBF IRLR3114ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN-3363483.pdf MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
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