IRLR3705Z Infineon
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 130W 0.008Ω IRLR3705ZTR TIRLR3705z
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Technische Details IRLR3705Z Infineon
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V.
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| IRLR3705Z | IR |
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