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IRLR3705ZPBF

Name: TS912BIDT
Brand: ST
SKU: 17951
Price: 0.73 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 41262

Hersteller: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/44
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

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Möglichen Substitutionen IRLR3705ZPBF IR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis ohne MwSt
	LR3705 Produktcode: 189655	Hersteller : JSMicro	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/44 JHGF: SMD	auf Bestellung 44 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
IRLR3705ZPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar
IRLR3705ZPBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 44nC	Produkt ist nicht verfügbar
IRLR3705ZPBF	Hersteller : Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level	Produkt ist nicht verfügbar

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TS912BIDT
Produktcode: 17951

Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Vc, V: 16V
BW, MHz: 0.8
Vio, mV(Biasspannung): 2
Geschw. Nar., V/mks: 0,4
Temperaturbereich: -40...+125°C
Bemerkungen: RAIL TO RAIL, Zahl Kanäle: 2;
ZCODE: 2

auf Bestellung 50 Stück:

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Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.82 EUR
10+	0.73 EUR

680uH 10% (DR 0912 680uH Bochen) (Idc=0,5А, Rdc max=0.85 Ohm, радиальные выводы, d=9mm, h=12mm)
Produktcode: 123707

Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 680 µH
Beschreibung und Eigenschaften: Силова, дротова на феритовій гантелі, 680µH±10%, Idc=0.5А, Rdc мax=0.85 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Typ: DR0912
Abmessungen: d=9 mm; h=12 mm

auf Bestellung 686 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

BSS138BK,215
Produktcode: 131639

Hersteller: Nexperia
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,36 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 42/0,6
JHGF: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

3,3nF 6kV Z5V Z(-20/+80%) D<=10,8mm (KF3I332Z-L016B-Hitano)
Produktcode: 3279

Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 3,3nF
Nennspannung: 6000V
TKE: Z5V
Präzision: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=10,8mm
Part Nummer: KF3I332Z-L016B
№ 8: 8532 24 00 00

verfügbar: 2519 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.42 EUR
10+	0.37 EUR
100+	0.26 EUR
1000+	0.24 EUR

IRFR5305PBF
Produktcode: 2560

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 25
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD

auf Bestellung 500 Stück:

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1+	0.48 EUR
10+	0.47 EUR