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LR3705 JSMicro

Produktcode: 189655

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Hersteller: JSMicro
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/44
JHGF: SMD

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Möglichen Substitutionen LR3705 JSMicro

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	LR3705Z, JSMSemi Produktcode: 219872 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt	JSMSemi	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 60 V Idd,A: 70 A Rds(on), Ohm: 6 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2135/29 JHGF: SMD	auf Bestellung 27 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

LR3705Z, JSMSemi
Produktcode: 219872

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Hersteller: JSMSemi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 70 A
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2135/29
JHGF: SMD

auf Bestellung 27 St.:

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NiMH 2000mAh, 1.2V, AA GEB, Nickel-Metallhydrid-Akku flat top + Nickel
Produktcode: 151058

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Hersteller: GEB
Akkus > NiMH-, NiCd- und NiZn-Batterien
Technologie: NiMH
Typgröße / Abmessungen: AA
Kapazität, mAh: 2000 mAh
Form: zylindrisch
Spannung, V: 1,2 V
Gewicht, g: 28 g

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IRFR3806TRPBF
Produktcode: 164837

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 12,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1150/22
JHGF: SMD

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Li-Ion 3500mAh, 3.65V, 18650 EVE Lithium-Ionen-Akku INR18650/35V Grade A
Produktcode: 194474

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Li-Ion 3500mAh, 3.65V, 18650 EVE Lithium-Ionen-Akku INR18650/35V Grade A

Hersteller: EVE
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Typgröße / Abmessungen: 18650
Kapazität, mAh: 3500 mAh
Form: zylindrisch
Spannung, V: 3,65 V
Maximaler Entladestrom, A: 10 A
Gewicht, g: 50 g

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12 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3676

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12 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 12 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805

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Anzahl	Preis
10+	0.005 EUR
100+	0.0034 EUR
1000+	0.0028 EUR

Mindestbestellmenge: 10 St.

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IRFR5305PBF
Produktcode: 2560

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD

auf Bestellung 611 St.:

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Anzahl	Preis
1+	0.48 EUR
10+	0.47 EUR

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