IRLR3802PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLR3802PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IRLR3802PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | Hersteller : International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V |
auf Bestellung 8140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC |
auf Bestellung 2709 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |