Technische Details IRLR3802PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 88W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.
Weitere Produktangebote IRLR3802PBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 4.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IRLR3802PBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 2596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | Infineon Technologies |
Description: IRLR3802 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V |
auf Bestellung 2596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V |
auf Bestellung 3740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC |
auf Bestellung 1572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3802PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| IRLR3802PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3802PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 238+ | 0.74 EUR |
| IRLR3802PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 597+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| IRLR3802PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IRLR3802 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
Description: IRLR3802 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 429+ | 1.29 EUR |
| IRLR3802PBF |
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Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
auf Bestellung 3740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 429+ | 1.29 EUR |
| IRLR3802PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC
MOSFETs 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.11 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 3000+ | 1.02 EUR |
| IRLR3802PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 55+ | 4.57 EUR |
| IRLR3802PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLR3802PBF |
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 597+ | 1.11 EUR |