IRLR7807ZPBF
Produktcode: 113448
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 13,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 780/7
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR7807ZPBF | International Rectifier |
Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRLR7807ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V |
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IRLR7807ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC |
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| IRLR7807ZPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
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| IRLR7807ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
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| IRLR7807ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
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