IRLR7807ZPBF
Produktcode: 113448
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 30 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13,8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 780/7
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRLR7807ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR7807ZPBF | International Rectifier |
Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRLR7807ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRLR7807ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 40 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0138 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR7807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR7807ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
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| IRLR7807ZPBF |
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Hersteller: International Rectifier
Транзистори
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| IRLR7807ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
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| IRLR7807ZPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0138
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR7807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0138
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRLR7807ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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