IRLR7821TRPBF
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Technische Details IRLR7821TRPBF
Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRLR7821TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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IRLR7821TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC |
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IRLR7821TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7821TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 75 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IRLR7821TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR7821TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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| IRLR7821TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC
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| IRLR7821TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7821TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR7821TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRLR7821TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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