Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRLR8726PBF
IRLR8726PBF

IRLR8726PBF

irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
Produktcode: 106471
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 61 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRLR8726PBF IR

  • MOSFET,N-CH 30V 86A DPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:25A
  • On State Resistance:5.8mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:2.35V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:75W
  • Transistor Case Style:D-PAK

Weitere Produktangebote IRLR8726PBF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR8726PBF Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 110 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726PBF description irlr8726pbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 110 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH