IRLR8726PBF
Produktcode: 106471
Hersteller: IRGehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Управління логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLR8726PBF IR
- MOSFET,N-CH 30V 86A DPAK
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:25A
- On State Resistance:5.8mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1.8V
- Case Style:D-PAK
- Termination Type:SMD
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Max Voltage Vgs th:2.35V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:75W
- Transistor Case Style:D-PAK
Weitere Produktangebote IRLR8726PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRLR8726PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
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IRLR8726PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC |
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