IRLR8726PBF
Produktcode: 106471
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 61 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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Technische Details IRLR8726PBF IR
- MOSFET,N-CH 30V 86A DPAK
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:25A
- On State Resistance:5.8mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1.8V
- Case Style:D-PAK
- Termination Type:SMD
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Max Voltage Vgs th:2.35V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:75W
- Transistor Case Style:D-PAK
Weitere Produktangebote IRLR8726PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR8726PBF | Infineon Technologies |
 N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 75 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IRLR8726PBF | International Rectifier |
N-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори |
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 |
IRLR8726PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
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 |
IRLR8726PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC |
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| IRLR8726PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR8726PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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| IRLR8726PBF |
|
Hersteller: International Rectifier
N-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
N-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
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| IRLR8726PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
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| IRLR8726PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
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| IRLR8726PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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