IRLR8726PBF
Produktcode: 106471
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Управління логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLR8726PBF IR
- MOSFET,N-CH 30V 86A DPAK
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:25A
- On State Resistance:5.8mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1.8V
- Case Style:D-PAK
- Termination Type:SMD
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Max Voltage Vgs th:2.35V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:75W
- Transistor Case Style:D-PAK
Weitere Produktangebote IRLR8726PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR8726PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 110 Stücke: |