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IRLR8726TR JGSEMI

08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR JGSEMI TIRLR8726 JGS
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Technische Details IRLR8726TR JGSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLR8726TR Hersteller : UMW 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR UMW TIRLR8726 UMW
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IRLR8726TR Hersteller : JGSEMI 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR JGSEMI TIRLR8726 JGS
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IRLR8726TR Hersteller : Infineon 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
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IRLR8726TR Hersteller : Infineon 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
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IRLR8726TR IRLR8726TR Hersteller : UMW 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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