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IRLR8726TRPBF

IRLR8726TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRLR8726TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2000+0.34 EUR
4000+0.32 EUR
6000+0.30 EUR
10000+0.29 EUR
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.41 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Anzahl Preis
2000+0.42 EUR
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: SMD
Case: DPAK
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
132+0.54 EUR
160+0.45 EUR
242+0.30 EUR
256+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
132+0.54 EUR
160+0.45 EUR
242+0.30 EUR
256+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
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24+0.74 EUR
33+0.54 EUR
100+0.47 EUR
500+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 24
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN-3363408.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
auf Bestellung 50700 Stücke:
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Anzahl Preis
3+1.12 EUR
10+0.86 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.31 EUR
10000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4505 Stücke:
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
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IRLR8726TRPBF
Produktcode: 192200
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