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IRLR8726TRPBF

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Produktcode: 192200
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 56000 Stücke:
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4000+0.76 EUR
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.99 EUR
117+0.74 EUR
186+0.45 EUR
250+0.39 EUR
500+0.35 EUR
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
203+1.15 EUR
250+0.93 EUR
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 56313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
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2+3.19 EUR
10+1.93 EUR
100+1.3 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.8 EUR
4000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
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IRLR8726TRPBF International Rectifier HiRel Products irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
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683+0.96 EUR
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.54 EUR
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.82 EUR
4000+0.76 EUR
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 498 Stücke:
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498+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+0.99 EUR
117+0.74 EUR
186+0.45 EUR
250+0.39 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRLR8726TRPBF INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8726TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.93 EUR
203+1.15 EUR
250+0.93 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBF INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8726TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.93 EUR
203+1.15 EUR
250+0.93 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 56313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3 EUR
12+1.89 EUR
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500+0.99 EUR
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IRLR8726TRPBF Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
auf Bestellung 18711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.19 EUR
10+1.93 EUR
100+1.3 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.8 EUR
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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