Weitere Produktangebote IRLR8726TRPBF nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC |
auf Bestellung 31325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
auf Bestellung 56934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR8726TRPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR8726TRPBF | Hersteller : International Rectifier |
N-CH MOSFET 30V 86A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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