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IRLR8726TRPBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 764 Stücke:
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87+0.83 EUR
117+0.62 EUR
186+0.38 EUR
250+0.33 EUR
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
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100+0.59 EUR
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2000+0.37 EUR
4000+0.32 EUR
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6630 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
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IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6630 Stücke:
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IRLR8726TRPBF International Rectifier HiRel Products irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
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4000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2000+0.28 EUR
4000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
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AnzahlPreis
2000+0.29 EUR
4000+0.28 EUR
6000+0.26 EUR
10000+0.25 EUR
14000+0.24 EUR
20000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
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AnzahlPreis
2000+0.29 EUR
4000+0.28 EUR
6000+0.25 EUR
10000+0.23 EUR
14000+0.22 EUR
20000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
363+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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498+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2000+0.79 EUR
4000+0.73 EUR
6000+0.7 EUR
10000+0.67 EUR
14000+0.65 EUR
20000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR8726TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
87+0.83 EUR
117+0.62 EUR
186+0.38 EUR
250+0.33 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRLR8726TRPBF Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
auf Bestellung 31055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.47 EUR
10+0.9 EUR
100+0.59 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
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4000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
auf Bestellung 56403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRLR8726TRPBF INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8726TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLR8726TRPBF infineonirlr8726datasheeten.pdf
IRLR8726TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR8726TRPBF INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8726TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 6630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1523+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1523 Stücke
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