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IRLR8743PBF

Produktcode: 31850

Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 113
Rds(on), Ohm: 0.0031
Ciss, pF/Qg, nC: 4880/39
Bem.: 39 ns
JHGF: SMD

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Technische Details IRLR8743PBF IR

MOSFET, N D-PAK
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:30V
Cont Current Id:160A
On State Resistance:0.0031ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:1.9V
Case Style:DPAK
Termination Type:SMD
Max Voltage Vds:30V
No. of Pins:3
Power Dissipation Pd:135W
Pulse Current Idm:640A
Typ Charge Qrr @ Tj = 25`C:39nC
Transistor Case Style:D-PAK

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRLR8743PBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRLR8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 160 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 135 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR8743PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR8743PBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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0,22 Ohm 5% 3W (MOR300SJTB-0R22-Hitano)
Produktcode: 33178

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Hersteller: Hitano
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Resistenz: 0,22 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±300ppm
P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 15x5mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+200°C

verfügbar: 816 St.

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629 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

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10+	0.056 EUR
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Hersteller: Samsung
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Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206

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2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano)

Hersteller: Hitano
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Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

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10+	0.03 EUR
100+	0.0099 EUR

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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 450V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 30x45mm
Lebensdauer: 30х45mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

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1+	4.2 EUR
10+	3.92 EUR
100+	3.33 EUR

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Produktcode: 2431

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1000uF 16V EXR 10x21mm (EXR102M16B-Hitano)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00

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10000 St. - erwartet 10.05.2026

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1000+	0.079 EUR

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