Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF640 Philips

IRF640 Philips


IRF640.pdf
Produktcode: 7926
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Philips
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.17 EUR
10+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF640 Philips

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:18A
  • On State Resistance:0.18ohm
  • Case Style:TO-220 (SOT-78B)
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:125W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.18ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:72A
  • Typ Capacitance Ciss:1200pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:240ns
  • Transistor Case Style:TO-220

Möglichen Substitutionen IRF640 Philips

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF640N IRF640N
Produktcode: 30510
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
1+0.79 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF
Produktcode: 42934
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 709 St.
  • 709 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N
Produktcode: 30510
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.79 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF
Produktcode: 42934
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 709 St.
  • 709 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Weitere Produktangebote IRF640 nach Preis ab 0.68 EUR bis 1.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF640 IRF640 GOODWORK 1782724373540472.pdf description Description: 200V18A180m@10VTO-220-3L
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 SLKOR 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf description MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 description 1782724373540472.pdf
Hersteller: GOODWORK
Description: 200V18A180m@10VTO-220-3L
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 description 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640 description 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf
MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

22uF 35V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR220M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 17716
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EXR_080421.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 150 St.
  • 150 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2547 St.
  • 2547 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.039 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.024 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF
Produktcode: 22646
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRF9640PBF.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
auf Bestellung: 18 St.
  • 18 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.73 EUR
10+1.58 EUR
100+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Reiniger für Leiterplatten 100 ml (Isopropylalkohol)
Produktcode: 88627
11 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Chemie > Reinigungsmittel
Beschreibung: Isopropylalkohol, Benzin (Kalosha)
Verwendung: Reiniger für Leiterplatten
Verpackung: 100ml
Typ: Alkohol
auf Bestellung: 96 St.
  • 96 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.94 EUR
10+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
22 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
1N4001-ds.PDF
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 41861 St.
  • 41861 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.039 EUR
10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BD1R2G
Produktcode: 188094
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
uc3845b.pdf
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 А
Frequenz Fosc, kHz: 50 кГц
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 20.09.2026
auf Bestellung: 107 St.
  • 107 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.46 EUR
10+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH