Technische Details IRF640
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Möglichen Substitutionen IRF640
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640N Produktcode: 30510
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 JHGF: THT |
verfügbar: 14 Stück
12 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
||||||
![]() |
IRF640NPBF Produktcode: 42934
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Bem.: P=150W, -55...170 C JHGF: THT |
verfügbar: 313 Stück
10 Stück - stock Köln
303 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
Weitere Produktangebote IRF640 nach Preis ab 0.84 EUR bis 1.21 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640 Produktcode: 192240
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 11 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||
IRF640 | Hersteller : SLKOR |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||
![]() |
IRF640 Produktcode: 7926
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : ST |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.18 Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||||
![]() |
IRF640 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
![]() |
IRF640 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
|
IRF640 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
![]() |
IRF640 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
![]() |
IRF640 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
![]() |
IRF640 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
![]() |
IRF640 | Hersteller : NXP Semiconductors |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |