IRF640 (ST) - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

IRF640
Produktcode: 7926
Hersteller: STGehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70

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Technische Details IRF640
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:18A
- On State Resistance:0.18ohm
- Case Style:TO-220 (SOT-78B)
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Power Dissipation Ptot:125W
- Max Voltage Vds:200V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.18ohm
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
- Power Dissipation:125W
- Power Dissipation Pd:125W
- Pulse Current Idm:72A
- Typ Capacitance Ciss:1200pF
- Typ Reverse Recovery Time, trr:240ns
- Transistor Case Style:TO-220
Möglichen Substitutionen
IRF640N Produktcode: 30510 Hersteller: IR Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 |
12 Stück - stock Köln |
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IRF640NPBF Produktcode: 42934 Hersteller: IR Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Bem.: P=150W, -55...170 C ![]() |
35 Stück - stock Köln 500 Stück - erwartet 16.06.2022 |
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Preis IRF640 ab 0 EUR bis 0 EUR
IRF640 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB ![]() |
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IRF640 Hersteller: STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ![]() |
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IRF640 Hersteller: . 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs ![]() |
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IRF640 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF640PBF ![]() |
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IRF640 Hersteller: STMicroelectronics MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp ![]() |
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IRF640 Hersteller: STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V ![]() |
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