IRF640

IRF640

Produktcode: 7926
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70

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Technische Details IRF640

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:18A
  • On State Resistance:0.18ohm
  • Case Style:TO-220 (SOT-78B)
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:125W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.18ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:72A
  • Typ Capacitance Ciss:1200pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:240ns
  • Transistor Case Style:TO-220

Möglichen Substitutionen

IRF640N
IRF640N
Produktcode: 30510
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
12 Stück - stock Köln
1+ 0.4 EUR
10+ 0.37 EUR
IRF640NPBF
IRF640NPBF
Produktcode: 42934
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
35 Stück - stock Köln
476 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.42 EUR
10+ 0.36 EUR

Preis IRF640 ab 0 EUR bis 0 EUR

IRF640
IRF640
Hersteller:

en.CD00000702.pdf
26 Stücke
IRF640
IRF640
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
3007.pdf
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IRF640
IRF640
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
sihf640.pdf
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IRF640
Hersteller:
. 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
en.CD00000702.pdf
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IRF640
IRF640
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
stmicroelectronics_cd00000702-1204609.pdf
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IRF640
IRF640
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF640PBF
sihf640-1768608.pdf
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IRF640
IRF640
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
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