IRF640 Philips
Produktcode: 7926
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Philips
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
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Technische Details IRF640 Philips
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:18A
- On State Resistance:0.18ohm
- Case Style:TO-220 (SOT-78B)
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Power Dissipation Ptot:125W
- Max Voltage Vds:200V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.18ohm
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
- Power Dissipation:125W
- Power Dissipation Pd:125W
- Pulse Current Idm:72A
- Typ Capacitance Ciss:1200pF
- Typ Reverse Recovery Time, trr:240ns
- Transistor Case Style:TO-220
Möglichen Substitutionen IRF640 Philips
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF640N Produktcode: 30510
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Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67 Montage: THT |
verfügbar: 12 St.
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IRF640NPBF Produktcode: 42934
1
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|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67 Bemerkung: P=150W, -55...170 C Montage: THT |
verfügbar: 755 St.
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|
| IRF640N Produktcode: 30510
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| IRF640NPBF Produktcode: 42934
1
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
verfügbar: 755 St.
- 10 St. - stock Köln
- 745 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
Weitere Produktangebote IRF640
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF640 |
MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220 |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| IRF640 | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF640 |
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MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
| IRF640 |
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Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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| 22uF 35V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR220M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 17716
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|
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 4057 St.
- 150 St. - stock Köln
- 3907 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.058 EUR |
| 10+ | 0.039 EUR |
| 100+ | 0.03 EUR |
| 1000+ | 0.024 EUR |
| IRF9640PBF Produktcode: 22646
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|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
auf Bestellung 24 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.73 EUR |
| 10+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| Reiniger für Leiterplatten 100 ml (Isopropylalkohol) Produktcode: 88627
11
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Lieblingsprodukt
|
Chemie > Reinigungsmittel
Beschreibung: Isopropylalkohol, Benzin (Kalosha)
Verwendung: Reiniger für Leiterplatten
Verpackung: 100ml
Typ: Alkohol
Beschreibung: Isopropylalkohol, Benzin (Kalosha)
Verwendung: Reiniger für Leiterplatten
Verpackung: 100ml
Typ: Alkohol
auf Bestellung 164 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.94 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822
18
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|
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung 54458 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.039 EUR |
| 10+ | 0.031 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| UC3845BD1R2G Produktcode: 188094
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 А
Frequenz Fosc, kHz: 50 кГц
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 А
Frequenz Fosc, kHz: 50 кГц
auf Bestellung 145 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.46 EUR |
| 10+ | 0.43 EUR |







