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IRF640NPBF

Name: IRF640NPBF
Brand: IR
SKU: 42934
Price: 0.36 EUR
Availability: InStock

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee

Produktcode: 42934

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT

verfügbar 537 Stück:

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Bezeichnung

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Beschreibung

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IRF640N
Produktcode: 30510

Hersteller : IR

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT

verfügbar: 12 Stück

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IRF640
Produktcode: 7926

Hersteller : ST

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT

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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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214+	0.71 EUR
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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 13589 Stücke:

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207+	0.73 EUR
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2000+	0.45 EUR
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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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214+	0.68 EUR
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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF640NPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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73+	0.99 EUR
89+	0.81 EUR
119+	0.6 EUR
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IRF640NPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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500+	0.55 EUR
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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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160+	0.92 EUR
201+	0.7 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.5 EUR

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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf

MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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100+	0.85 EUR
500+	0.75 EUR

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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF640NPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 48829 Stücke:

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IRF640NPBF

Hersteller : IR

Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)

auf Bestellung 386 Stücke:

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10+	3.6 EUR
100+	3.24 EUR

IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF640NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF640
Produktcode: 7926

Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT

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erwartet 290 Stück:

250 Stück - erwartet

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IRF9640PBF
Produktcode: 22646

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT

auf Bestellung 203 Stück:

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10+	0.67 EUR

NE555P IC Timer
Produktcode: 26138

Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C

verfügbar: 1727 Stück

434 Stück - stock Köln
1293 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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2000 Stück - erwartet 05.10.2024

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100+	0.15 EUR
1000+	0.12 EUR

Пьезоизлучатель YMD-12095-G-5V
Produktcode: 110866

Hersteller: Global Tone
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Typ: Зумери
Beschreibung: П'єзовипромінювач, резонанс: 2300Hz, живлення:5V
Abmessungen: Ø12x9,5mm
Функціональна особливість: З генератором
Робоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB

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3000 Stück - erwartet 25.10.2024

1N5408
Produktcode: 2135

Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V

verfügbar: 2780 Stück

100 Stück - stock Köln
2680 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

erwartet: 8000 Stück

8000 Stück - erwartet 22.09.2024

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