IRF640NPBF

IRF640NPBF

Produktcode: 42934
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C

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1+ 0.42 EUR
10+ 0.36 EUR

Technische Details IRF640NPBF

Möglichen Substitutionen

IRF640N
IRF640N
Produktcode: 30510
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
12 Stück - stock Köln
1+ 0.4 EUR
10+ 0.37 EUR
IRF640
IRF640
Produktcode: 7926
Hersteller: ST
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
IRF640.pdf

Preis IRF640NPBF ab 0.36 EUR bis 1.19 EUR

IRF640NPBF
Hersteller: INFIN

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83+ 1 EUR
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500+ 0.79 EUR
1250+ 0.74 EUR
IRF640NPBF
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N- ; Udss, = 200; Id = 18 ; Ciss, @ Uds, = 1160 @ 25; Qg, = 67 @ 10 ; Rds = 150 @ 11 A, 10 ; Ugs(th) = 4 @ 250 ; , = 150 ; , °C = -55...+175; . = ; TO-220AB
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100+ 0.9 EUR
IRF640NPBF
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640NPBF
IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.15
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 150
Continuous Drain Current Id: 18
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 200
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
713619.pdf
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IRF640NPBF
Hersteller:
IRF640NPBF
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IRF640NPBF
Hersteller:
IRF640N N-KANAL POWER MOSFET 200V,18A,RDS=0.15 TO-220
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Hersteller:
IRF640N N-KANAL POWER MOSFET 200V,18A,RDS=0.15 TO-220
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IRF640N N-KANAL POWER MOSFET 200V,18A,RDS=0.15 TO-220
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Hersteller:
IRF640N N-KANAL POWER MOSFET 200V,18A,RDS=0.15 TO-220
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Hersteller:
IRF640N N-KANAL POWER MOSFET 200V,18A,RDS=0.15 TO-220
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IRF640NPBF
Hersteller: INF
IRF640NPBF
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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auf Bestellung 5500 Stücke
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IRF640NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF640NPBF THT N channel transistors
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IRF640NPBF
Hersteller:
IRF640N N-KANAL POWER MOSFET 200V,18A,RDS=0.15 TO-220
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IRF640NPBF
Hersteller:
IRF640N N-KANAL POWER MOSFET 200V,18A,RDS=0.15 TO-220
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Hersteller:
IRF640N N-KANAL POWER MOSFET 200V,18A,RDS=0.15 TO-220
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IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640NPBF
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-1228260.pdf
auf Bestellung 71116 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
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auf Bestellung 2450 Stücke
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IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640NPBF
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
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IRF9640PBF
Produktcode: 22646
IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
308 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 957 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.75 EUR
10+ 0.67 EUR
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Produktcode: 7711
техническая информация 1n4148-datasheet.pdf
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448
2802 Stück - stock Köln
15418 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.3 EUR
10+ 0.25 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.0062 EUR
Möglichen Substitutionen
1N4448
Produktcode: 20338
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
техническая информация
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
3 Stück - stock Köln
1140 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1 Stück - erwartet
1+ 1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574
техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3155 Stück - stock Köln
22034 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR