IRF640NPBF
Produktcode: 42934
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.43 EUR |
Produktrezensionen
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Möglichen Substitutionen IRF640NPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF640N Produktcode: 30510
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67 Montage: THT |
verfügbar: 12 St.
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| IRF640N Produktcode: 30510
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
Weitere Produktangebote IRF640NPBF nach Preis ab 0.49 EUR bis 4.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 125488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 34602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 3791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 12727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 12727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 125500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
auf Bestellung 32223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 26568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF640NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
auf Bestellung 49819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF640NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 0.79 EUR |
| IRF640NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 4000+ | 0.77 EUR |
| 10000+ | 0.75 EUR |
| IRF640NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 4000+ | 0.75 EUR |
| 10000+ | 0.71 EUR |
| IRF640NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 3791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 2.31 EUR |
| 77+ | 1.12 EUR |
| 114+ | 0.75 EUR |
| 130+ | 0.65 EUR |
| 250+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 750+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| 2000+ | 0.49 EUR |
| IRF640NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.49 EUR |
| 151+ | 1.13 EUR |
| 153+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| 4000+ | 0.64 EUR |
| 10000+ | 0.61 EUR |
| IRF640NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.49 EUR |
| 151+ | 1.15 EUR |
| 153+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 4000+ | 0.71 EUR |
| 10000+ | 0.69 EUR |
| IRF640NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 2.99 EUR |
| IRF640NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 3.18 EUR |
| 139+ | 1.23 EUR |
| 141+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 4000+ | 0.73 EUR |
| 10000+ | 0.69 EUR |
| IRF640NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 32223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.96 EUR |
| 10+ | 2.49 EUR |
| 100+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| 2000+ | 1.06 EUR |
| 5000+ | 1.01 EUR |
| IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 26568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.69 EUR |
| 50+ | 2.27 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
| 2000+ | 1.39 EUR |
| 5000+ | 1.37 EUR |
| IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 49819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| IRF9640PBF Produktcode: 22646
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
auf Bestellung 24 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.89 EUR |
| 10+ | 0.8 EUR |
| L7812CV Produktcode: 29158
8
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 2 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...150°C
Montage: THT
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 2 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...150°C
Montage: THT
auf Bestellung 3360 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.29 EUR |
| 10+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| IRF9530NPBF Produktcode: 32844
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 122 St.
- 14 St. - stock Köln
- 108 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.6 EUR |
| 1N5408 Produktcode: 2135
5
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 V
verfügbar: 6074 St.
- 65 St. - stock Köln
- 6009 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.082 EUR |
| 10+ | 0.058 EUR |
| 100+ | 0.052 EUR |
| 1000+ | 0.05 EUR |
| 100 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (S) Produktcode: 13812
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 100 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 100 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
auf Bestellung 55644 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.0093 EUR |
| 100+ | 0.0054 EUR |










