IRF640NPBF


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Produktcode: 42934
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF640N IRF640N
    Produktcode: 30510
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    IR description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 18 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
    Montage: THT
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      IRF640N
      Produktcode: 30510
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      description
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
      Drain-Strom Idd, A: 18 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
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        IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
        Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
        Type of transistor: N-MOSFET
        Polarisation: unipolar
        Drain-source voltage: 200V
        Drain current: 18A
        Power dissipation: 150W
        Case: TO220AB
        Gate-source voltage: ±20V
        On-state resistance: 0.15Ω
        Mounting: THT
        Kind of channel: enhancement
        Technology: HEXFET®
        Gate charge: 44.7nC
        Kind of package: tube
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        IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
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        IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
        Packaging: Tube
        Package / Case: TO-220-3
        Mounting Type: Through Hole
        Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
        Technology: MOSFET (Metal Oxide)
        FET Type: N-Channel
        Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
        Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
        Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
        Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
        Supplier Device Package: TO-220AB
        Part Status: Not For New Designs
        Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
        Vgs (Max): ±20V
        Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
        Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
        Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
        Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
        Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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        IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
        tariffCode: 85412900
        Transistormontage: Durchsteckmontage
        euEccn: NLR
        Drain-Source-Spannung Vds: 200V
        rohsCompliant: YES
        Dauer-Drainstrom Id: 18A
        hazardous: false
        rohsPhthalatesCompliant: YES
        Qualifikation: -
        isCanonical: Y
        MSL: -
        Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
        Verlustleistung: 150W
        SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
        Bauform - Transistor: TO-220AB
        Anzahl der Pins: 3Pin(s)
        Produktpalette: -
        productTraceability: No
        usEccn: EAR99
        Kanaltyp: n-Kanal
        Betriebstemperatur, max.: 175°C
        Rds(on)-Prüfspannung: 10V
        Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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        Hersteller: Infineon Technologies
        Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        Hersteller: Infineon Technologies
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        Hersteller: Infineon Technologies
        Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
        Category: THT N channel transistors
        Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
        Type of transistor: N-MOSFET
        Polarisation: unipolar
        Drain-source voltage: 200V
        Drain current: 18A
        Power dissipation: 150W
        Case: TO220AB
        Gate-source voltage: ±20V
        On-state resistance: 0.15Ω
        Mounting: THT
        Kind of channel: enhancement
        Technology: HEXFET®
        Gate charge: 44.7nC
        Kind of package: tube
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        Hersteller: Infineon Technologies
        Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        153+1.07 EUR
        500+0.93 EUR
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        Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        151+1.15 EUR
        153+1.11 EUR
        500+0.98 EUR
        1000+0.81 EUR
        4000+0.71 EUR
        10000+0.69 EUR
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        Hersteller: Infineon Technologies
        Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        Hersteller: Infineon Technologies
        Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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        MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
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        Hersteller: Infineon Technologies
        Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
        Packaging: Tube
        Package / Case: TO-220-3
        Mounting Type: Through Hole
        Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
        Technology: MOSFET (Metal Oxide)
        FET Type: N-Channel
        Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
        Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
        Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
        Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
        Supplier Device Package: TO-220AB
        Part Status: Not For New Designs
        Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
        Vgs (Max): ±20V
        Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
        Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
        Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
        Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
        Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
        auf Bestellung 26568 Stücke:
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        IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
        Hersteller: INFINEON
        Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
        tariffCode: 85412900
        Transistormontage: Durchsteckmontage
        euEccn: NLR
        Drain-Source-Spannung Vds: 200V
        rohsCompliant: YES
        Dauer-Drainstrom Id: 18A
        hazardous: false
        rohsPhthalatesCompliant: YES
        Qualifikation: -
        isCanonical: Y
        MSL: -
        Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
        Verlustleistung: 150W
        SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
        Bauform - Transistor: TO-220AB
        Anzahl der Pins: 3Pin(s)
        Produktpalette: -
        productTraceability: No
        usEccn: EAR99
        Kanaltyp: n-Kanal
        Betriebstemperatur, max.: 175°C
        Rds(on)-Prüfspannung: 10V
        Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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        IRF9640PBF
        Produktcode: 22646
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        IRF9640PBF.pdf
        Hersteller: IR
        Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
        Gehäuse: TO-220
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
        Drain-Strom Id, A: 11 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
        Montage: THT
        auf Bestellung 24 St.:
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        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        L7812CV
        Produktcode: 29158
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        description en.CD00000444.pdf %5BLumimax%5DL7812CV.pdf c168776e2953fdb9c2c5d2e822b5d7b0.pdf
        Hersteller: ST
        IC > IC lineare Spannungsregler
        Gehäuse: TO-220
        Eingangsspannung Uin, V: 35 V
        Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
        Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
        Spannungsabfall Udrop, V: 2 V
        Ausgangstyp: Fest
        Temperaturbereich: 0...150°C
        Montage: THT
        auf Bestellung 3360 St.:
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        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRF9530NPBF
        Produktcode: 32844
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        irf9530n.pdf
        Hersteller: IR
        Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
        Gehäuse: TO-220
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
        Drain-Strom Id, A: 12 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
        Montage: THT
        verfügbar: 122 St.
        • 14 St. - stock Köln
        • 108 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          1N5408
          Produktcode: 2135
          5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
          1N5400-1N5408.pdf
          Hersteller: YJ/MIC
          Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
          Gehäuse: DO-201
          Urev., V: 1000 V
          Iausr., A: 3 A
          Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
          Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
          Montage: THT
          Spannungsabfall Vf: 1,2 V
          verfügbar: 6074 St.
          • 65 St. - stock Köln
          • 6009 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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          10+0.058 EUR
          100+0.052 EUR
          1000+0.05 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          100 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (S)
          Produktcode: 13812
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          uni-ohm-carbon film resistors.pdf
          Hersteller: Uni Ohm
          Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
          Widerstandswert: 100 kOhm
          Toleranz: ±5%
          Nennleistung, W: 0,25 W
          Betriebsspannung, V: 250 V
          Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
          Typ: Kohleschicht
          auf Bestellung 55644 St.:
          Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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