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IRF640NPBF

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Produktcode: 42934
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
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IRF640N IRF640N
Produktcode: 30510
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Hersteller : IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 12 St.
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44.7nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 200V
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2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 80
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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7+2.85 EUR
50+1.36 EUR
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640NPBF IRF640NPBF Hersteller : Infineon irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF640NPBF Hersteller : International Rectifier irf640n.pdf TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF640NPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf640npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF9640PBF
Produktcode: 22646
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IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
auf Bestellung 63 St.:
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L7812CV
Produktcode: 29158
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description en.CD00000444.pdf
L7812CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
auf Bestellung 4015 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.24 EUR
10+0.22 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 143 St.
14 St. - stock Köln
129 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.5 EUR
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 7578 St.
65 St. - stock Köln
7513 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.049 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.042 EUR
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100 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-100K)
Produktcode: 13812
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uni-ohm-carbon film resistors.pdf
100 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-100K)
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
auf Bestellung 56434 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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