IRF640NPBF
Produktcode: 42934
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar 537 Stück:
35 Stück - stock Köln
502 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Produktrezensionen
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Möglichen Substitutionen IRF640NPBF IR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IRF640N Produktcode: 30510 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 JHGF: THT |
verfügbar: 12 Stück
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IRF640 Produktcode: 7926 |
Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.18 Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 JHGF: THT |
auf Bestellung 194 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 290 Stück: 250 Stück - erwartet |
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Weitere Produktangebote IRF640NPBF nach Preis ab 0.41 EUR bis 3.96 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 13589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 28728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2681 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 28745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
auf Bestellung 28075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 49690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 11895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 48829 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца) |
auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF640NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF640 Produktcode: 7926 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
auf Bestellung 194 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 290 Stück:
250 Stück - erwartetAnzahl | Preis ohne MwSt |
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IRF9640PBF Produktcode: 22646 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
auf Bestellung 203 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.75 EUR |
10+ | 0.67 EUR |
NE555P IC Timer Produktcode: 26138 |
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 1727 Stück
434 Stück - stock Köln
1293 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1293 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
2000 Stück
2000 Stück - erwartet 05.10.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.5 EUR |
10+ | 0.24 EUR |
100+ | 0.15 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
Пьезоизлучатель YMD-12095-G-5V Produktcode: 110866 |
Hersteller: Global Tone
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Typ: Зумери
Beschreibung: П'єзовипромінювач, резонанс: 2300Hz, живлення:5V
Abmessungen: Ø12x9,5mm
Функціональна особливість: З генератором
Робоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Typ: Зумери
Beschreibung: П'єзовипромінювач, резонанс: 2300Hz, живлення:5V
Abmessungen: Ø12x9,5mm
Функціональна особливість: З генератором
Робоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
auf Bestellung 76 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet 25.10.20241N5408 Produktcode: 2135 |
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 2780 Stück
100 Stück - stock Köln
2680 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2680 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
8000 Stück
8000 Stück - erwartet 22.09.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.069 EUR |
10+ | 0.049 EUR |
100+ | 0.044 EUR |
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