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IRF9640PBF

IRF9640PBF

IRF9640PBF.pdf
Produktcode: 22646
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 18 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9640PBF IRF9640PBF VISHAY IRF9640PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.93 EUR
57+1.5 EUR
68+1.26 EUR
100+1.19 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF IRF9640PBF Vishay irf9640.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 11220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
98+1.76 EUR
100+1.7 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.5 EUR
5000+1.37 EUR
10000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF IRF9640PBF Vishay irf9640.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 11224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.81 EUR
96+1.75 EUR
100+1.67 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.36 EUR
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF IRF9640PBF Vishay Semiconductors IRF9640_SiHF9640.pdf MOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+2.76 EUR
100+2.24 EUR
500+1.92 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF IRF9640PBF VISHAY VISH-S-A0019267823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9640PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
91+2.55 EUR
119+1.81 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.58 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF IRF9640PBF Vishay Siliconix IRF9640_SiHF9640.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 53655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.11 EUR
50+3.14 EUR
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF JSMSEMI irf9640.pdf MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF9640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+1.93 EUR
57+1.5 EUR
68+1.26 EUR
100+1.19 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF9640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 11220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+2.77 EUR
98+1.76 EUR
100+1.7 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.5 EUR
5000+1.37 EUR
10000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IRF9640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 11224 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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96+1.75 EUR
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IRF9640PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
auf Bestellung 920 Stücke:
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IRF9640PBF VISH-S-A0019267823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9640PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9640PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 5750 Stücke:
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91+2.55 EUR
119+1.81 EUR
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5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRF9640PBF IRF9640_SiHF9640.pdf
IRF9640PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF irf9640.pdf
Hersteller: JSMSEMI
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 737 St.
  • 737 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N
Produktcode: 30510
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description
IRF640N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.79 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
Hersteller: Philips
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.17 EUR
10+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79-C15
Produktcode: 24004
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BZX79.pdf
BZX79-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 11,4 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 766 St.
  • 766 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.032 EUR
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 14 St.
  • 14 St. - stock Köln
auf Bestellung: 374 St.
  • 374 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
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