IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.54 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
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Weitere Produktangebote IRF9530NPBF nach Preis ab 0.44 EUR bis 3.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 52003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 52013 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 29275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 29000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC |
auf Bestellung 17907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
auf Bestellung 17326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
auf Bestellung 14660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9530NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 52003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 190+ | 0.77 EUR |
| IRF9530NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 52013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 136+ | 1.08 EUR |
| 248+ | 0.57 EUR |
| 251+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 2000+ | 0.47 EUR |
| 5000+ | 0.44 EUR |
| IRF9530NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 2000+ | 1.08 EUR |
| 5000+ | 0.94 EUR |
| 10000+ | 0.85 EUR |
| IRF9530NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 1.21 EUR |
| IRF9530NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 51+ | 1.42 EUR |
| 96+ | 0.75 EUR |
| 104+ | 0.69 EUR |
| 110+ | 0.65 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 250+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| IRF9530NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 77+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| 2000+ | 1.07 EUR |
| IRF9530NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
auf Bestellung 17907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.38 EUR |
| 10+ | 1.12 EUR |
| 100+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.78 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 2000+ | 0.65 EUR |
| 5000+ | 0.6 EUR |
| IRF9530NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 17326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.94 EUR |
| 50+ | 1.91 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| 2000+ | 1.15 EUR |
| 5000+ | 1.05 EUR |
| 10000+ | 0.99 EUR |
| IRF9530NPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 14660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| IRF640NPBF Produktcode: 42934
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 705 St.
- 10 St. - stock Köln
- 695 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 St.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.42 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| IRF530NPBF Produktcode: 50641
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
auf Bestellung 470 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 70158 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2,4 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-2K4-Hitano) Produktcode: 13768
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 2,4 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 2,4 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 3505 St.
- 1200 St. - stock Köln
- 2305 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.01 EUR |
| 100+ | 0.0056 EUR |








