IRF530NPBF
Produktcode: 50641
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 62027 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 62027 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 58520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 58536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC |
auf Bestellung 7209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF530NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF530NPBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 17A, TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| IRF9530NPBF Produktcode: 32844
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 227 Stück
14 Stück - stock Köln
213 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.54 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| SR5100 Produktcode: 46057
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201
Vrrm(V): 100
If(A): 5
VF@IF: 0,85
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201
Vrrm(V): 100
If(A): 5
VF@IF: 0,85
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
verfügbar: 427 Stück
143 Stück - stock Köln
284 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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4050 Stück
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.28 EUR |
| 10+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 11106
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
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29167 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
29167 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
40000 Stück
40000 Stück - erwartet
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.01 EUR |
| 100+ | 0.0056 EUR |
| 1000uF 25V EHR 10x21mm (EHR102M25BA-Hitano) Produktcode: 19355
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 10х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21mm
Lebensdauer: 10х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
3000 Stück
3000 Stück - erwartet
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.2 EUR |
| 10+ | 0.16 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.1 EUR |
| IRFZ44NPBF Produktcode: 35403
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 30 Stück
25 Stück - stock Köln
5 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
5 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.32 EUR |
| 10+ | 0.28 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |






