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IRF530NPBF

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Produktcode: 50641
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10,5
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 920/37
Montage: THT
auf Bestellung 470 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.52 EUR
100+0.51 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 62027 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 390 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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330+0.51 EUR
338+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
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10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29988 Stücke:
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1000+0.57 EUR
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5000+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
90+0.95 EUR
99+0.87 EUR
110+0.77 EUR
129+0.65 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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209+0.81 EUR
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500+0.6 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.45 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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105+1.68 EUR
170+1 EUR
189+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8609 Stücke:
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170+1.02 EUR
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500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
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5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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129+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
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1000+0.83 EUR
2000+0.77 EUR
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IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
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2000+0.9 EUR
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IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
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IRF530NPBF International Rectifier/Infineon irf530npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 14 Stücke:
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IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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330+0.51 EUR
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5000+0.37 EUR
10000+0.36 EUR
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IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
210+0.84 EUR
227+0.76 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.54 EUR
5000+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2980 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
74+1.15 EUR
90+0.95 EUR
99+0.87 EUR
110+0.77 EUR
129+0.65 EUR
250+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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209+0.81 EUR
226+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
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10000+0.4 EUR
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170+1 EUR
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170+1.02 EUR
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1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
5000+0.57 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
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12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
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IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
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10+2.24 EUR
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IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/25
Montage: THT
verfügbar: 122 St.
  • 14 St. - stock Köln
  • 108 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
    AnzahlPrivatkunde
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SR5100
    Produktcode: 46057
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    		sr5100.pdf
    SR5100
    Hersteller: Yangjie/MIC
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
    Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
    Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
    Durchlassstrom (per leg) If, A: 5 A
    Durchlassspannung Vf, V: 0,85 V
    Montage: THT
    Stoßstrom Ifsm, A: 150 A
    verfügbar: 370 St.
    • 143 St. - stock Köln
    • 227 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    erwartet: 4000 St.
    • 4000 St. - erwartet 25.07.2026
    AnzahlPrivatkunde
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    10+0.29 EUR
    100+0.24 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
    Produktcode: 11106
    2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		CR-S_080911.pdf
    1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
    Hersteller: Hitano
    Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
    Widerstandswert: 1 kOhm
    Toleranz: ±5%
    Nennleistung, W: 0,25 W
    Betriebsspannung, V: 250 V
    Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
    Typ: Kohleschicht
    verfügbar: 4387 St.
    • 1164 St. - stock Köln
    • 3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    erwartet: 40000 St.
    • 40000 St. - erwartet 10.08.2026
    AnzahlPrivatkunde
    10+0.012 EUR
    100+0.0067 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    1N4007
    Produktcode: 176822
    16 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		1N4001-ds.PDF
    1N4007
    Hersteller: MIC
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
    Gehäuse: DO-41
    Urev., V: 1000 V
    Iausr., A: 1 A
    Beschreibung: Gleichrichter
    Montage: THT
    Spannungsabfall Vf: 1,1 V
    auf Bestellung 69180 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    2200uF 25V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR222M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
    Produktcode: 3487
    2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		EXR_080421.pdf
    2200uF 25V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR222M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 2200 µF
    Nennspannung: 25 V
    Reihe: EXR
    Typ: niedrige Impedanz
    Temperaturbereich: -40...+105°C
    Abmessungen: 16x26 mm
    Lebensdauer: 5000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
    verfügbar: 198 St.
      erwartet: 400 St.
      • 400 St. - erwartet 29.10.2026
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.68 EUR
      10+0.46 EUR
      100+0.36 EUR
      1000+0.32 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH