IRF530NPBF

IRF530NPBF

Produktcode: 50641
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37

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Technische Details IRF530NPBF

Preis IRF530NPBF ab 0.43 EUR bis 2.4 EUR

IRF530NPBF
Hersteller: INFIN

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IRF530NPBF
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN-1228157.pdf
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IRF530NPBF
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
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IRF530NPBF
IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 0.09
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 63
Continuous Drain Current Id: 17
Operating Temperature Max: 175
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 100
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF530NPBF
IRF530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
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IRF530NPBF
Hersteller:
IRF530N N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V TO220
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IRF530N N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V TO220
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IRF530N N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V TO220
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IRF530N N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V TO220
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IRF530NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Material: IRF530NPBF THT N channel transistors
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IRF530NPBF
Hersteller:
IRF530N N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V TO220
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IRF530N N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V TO220
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IRF530N N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V TO220
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
16 Stück - stock Köln
51 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 15456 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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10+ 0.5 EUR
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d IRSDS11283-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
30 Stück - stock Köln
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100+ 0.27 EUR
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574
техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3155 Stück - stock Köln
23160 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR
1N5408
Produktcode: 2135
1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
1200 Stück - stock Köln
24380 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 430673 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.25 EUR
10+ 0.23 EUR
100+ 0.2 EUR
1000+ 0.037 EUR