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IRF530NPBF

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Produktcode: 50641
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.09.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
JHGF: THT
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
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500+0.75 EUR
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
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500+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.6 EUR
5000+0.57 EUR
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF530NPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf530npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 14 Stücke:
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IRF530NPBF IRF530NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF530NPBF Hersteller : International Rectifier irf530n.pdf HEXFET Power MOSFET, 100V, 17A, 0,09 Ohm, TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF9530NPBF
Produktcode: 32844
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irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 143 St.
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129 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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SR5100
Produktcode: 46057
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sr5100.pdf
SR5100
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201
Vrrm(V): 100
If(A): 5
VF@IF: 0,85
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
verfügbar: 464 St.
143 St. - stock Köln
321 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.24 EUR
100+0.2 EUR
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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4625 St.
1164 St. - stock Köln
3461 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet 10.08.2026
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100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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infineon-irfz44n-datasheet-en.pdf
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1635 St.
25 St. - stock Köln
1610 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.28 EUR
100+0.27 EUR
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2200uF 25V EXR 16x26mm (EXR222M25B-Hitano)
Produktcode: 3487
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EXR_080421.pdf
2200uF 25V EXR 16x26mm (EXR222M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 198 St.
erwartet: 400 St.
400 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.39 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH