
IRF640N
Produktcode: 30510
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar 71 Stück:
12 Stück - stock Köln
59 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.40 EUR |
10+ | 0.37 EUR |
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Technische Details IRF640N IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:200V
- Cont Current Id:18A
- On State Resistance:0.15ohm
- Case Style:TO-220AB
- Max Voltage Vds:200V
- Max Voltage Vgs th:4V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation:150W
- Power Dissipation Pd:150W
- Pulse Current Idm:72A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Möglichen Substitutionen IRF640N IR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IRF640NPBF Produktcode: 42934
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Bem.: P=150W, -55...170 C JHGF: THT |
verfügbar: 595 Stück
10 Stück - stock Köln
585 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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Weitere Produktangebote IRF640N nach Preis ab 1.19 EUR bis 1.50 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRF640N | Hersteller : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640N | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640N | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640N | IRF640N Транзисторы |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF640N | Hersteller : Infineon Technologies |
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UC3845BD1R2G Produktcode: 188094
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Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 A
Fosc, kHz: 50 kHz
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Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 A
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auf Bestellung 313 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
0,15 Ohm 5% 3W выв. (MOR300SJTB-0R15-Hitano) Produktcode: 183079
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 0,15 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±250ppm
P Nenn.,W: 3 W
U Betriebs.,V: 500 V
Abmessungen: 15x5 мм; Dвив.=0,76 mm
Typ: метало-оксидні мініатюрні
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Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±250ppm
P Nenn.,W: 3 W
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Typ: метало-оксидні мініатюрні
auf Bestellung 2046 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NPBF Produktcode: 42934
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
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Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 595 Stück
10 Stück - stock Köln
585 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
585 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.36 EUR |
2SC2655 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 22580
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 2
h21: 240
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
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ZCODE: THT
verfügbar: 954 Stück
30 Stück - stock Köln
924 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
924 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.13 EUR |
10+ | 0.11 EUR |