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IRF640N

IRF640N

Produktcode: 30510
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.48 EUR
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    Technische Details IRF640N IR

    • MOSFET, N TO-220
    • Transistor Type:MOSFET
    • Transistor Polarity:N
    • Typ Voltage Vds:200V
    • Cont Current Id:18A
    • On State Resistance:0.15ohm
    • Case Style:TO-220AB
    • Max Voltage Vds:200V
    • Max Voltage Vgs th:4V
    • No. of Pins:3
    • Power Dissipation:150W
    • Power Dissipation Pd:150W
    • Pulse Current Idm:72A
    • Transistor Case Style:TO-220AB

    Möglichen Substitutionen IRF640N IR

    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF640NPBF IRF640NPBF
    Produktcode: 42934
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    		IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 18 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
    Bemerkung: P=150W, -55...170 C
    Montage: THT
    verfügbar: 755 St.
    • 10 St. - stock Köln
    • 745 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    1+0.5 EUR
    10+0.43 EUR
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    IRF640NPBF
    Produktcode: 42934
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    		irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
    IRF640NPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Idd, A: 18 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
    Bemerkung: P=150W, -55...170 C
    Montage: THT
    verfügbar: 755 St.
    • 10 St. - stock Köln
    • 745 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRF640N IRF640N HXY MOSFET TIRF640n_JSM_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 73 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.34 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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    IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 200 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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    IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 160 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.5 EUR
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    IRF640N IRF640N JSMicro Semiconductor TIRF640n_JSM_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 70 Stücke:
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    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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    IRF640N IRF640N Infineon TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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    IRF640N description IRF640N Транзисторы
    auf Bestellung 11 Stücke:
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    IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
    IRF640N
    Hersteller: HXY MOSFET
    Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
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    IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
    IRF640N
    Hersteller: International Rectifier
    N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 200 Stücke:
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    50+1.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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    IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
    IRF640N
    Hersteller: International Rectifier
    N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 160 Stücke:
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    AnzahlPrivatkunde
    50+1.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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    IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
    IRF640N
    Hersteller: JSMicro Semiconductor
    Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
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    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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    IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
    IRF640N
    Hersteller: Infineon
    N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
    auf Bestellung 1000 Stücke:
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    IRF640N description
    IRF640N Транзисторы
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    IRF9640PBF
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    		IRF9640PBF.pdf
    IRF9640PBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
    Drain-Strom Id, A: 11 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
    Montage: THT
    auf Bestellung 24 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    1+0.89 EUR
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    IRF9640PBF
    Produktcode: 123234
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    IRF9640PBF
    Hersteller: Siliconix
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: TO-220AB
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
    Drain-Strom Id, A: 11 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
    Montage: THT
    auf Bestellung 55 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    UC3845BN
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    UC3845BN
    Hersteller: ST
    IC > IC Netzteile
    Gehäuse: DIP-8
    Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
    Eingangsspannung, V: 8,2...30 V
    Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
    Frequenz Fosc, kHz: 500 kHz
    Temperaturbereich: -40...+150°C
    auf Bestellung 349 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.26 EUR
    10+1 EUR
    100+0.87 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    47uF 50V EHR 6,3x11mm (EHR470M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Produktcode: 18651
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    47uF 50V EHR 6,3x11mm (EHR470M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 47 µF
    Nennspannung: 50 V
    Reihe: EHR
    Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
    Temperaturbereich: -40...+105°C
    Abmessungen: 6,3x11 mm
    Lebensdauer: 2000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
    verfügbar: 2960 St.
    • 975 St. - stock Köln
    • 1985 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    erwartet: 10000 St.
    • 10000 St. - erwartet
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.071 EUR
    10+0.052 EUR
    100+0.029 EUR
    1000+0.026 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    NE555D
    Produktcode: 153317
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    		NE555.pdf FAIRS20025-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw slfs022i.pdf?t.download=true&u=5oefqw
    Hersteller: TI
    IC > IC Timer
    Gehäuse: SO-8
    Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16V
    Temperaturbereich: 0...+70°С
    auf Bestellung 315 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH