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IRF640N

IRF640N

Produktcode: 30510
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar 12 St.:
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
10+0.37 EUR
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Technische Details IRF640N IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:18A
  • On State Resistance:0.15ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation:150W
  • Power Dissipation Pd:150W
  • Pulse Current Idm:72A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Möglichen Substitutionen IRF640N IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF640NPBF IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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Hersteller : IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 847 St.
10 St. - stock Köln
837 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF640N Hersteller : HXY MOSFET Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 25
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IRF640N Hersteller : JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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20+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF640N IRF640N Транзисторы
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IRF9640PBF
Produktcode: 22646
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IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
auf Bestellung 63 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.75 EUR
10+0.67 EUR
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IRF9640PBF
Produktcode: 123234
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sihf9640-datasheet.pdf
IRF9640PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
auf Bestellung 68 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 569 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.06 EUR
10+0.84 EUR
100+0.73 EUR
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47uF 50V EHR 6,3x11mm (EHR470M50B-Hitano)
Produktcode: 18651
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EHR_081225.pdf
47uF 50V EHR 6,3x11mm (EHR470M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4236 St.
975 St. - stock Köln
3261 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.044 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.022 EUR
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NE555D
Produktcode: 153317
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NE555.pdf FAIRS20025-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw slfs022i.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: SO-8
Beschreibung: Таймер 1 вихід; 4.5... 16В
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung 816 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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