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IRF9640PBF

IRF9640PBF Siliconix

sihf9640-datasheet.pdf
Produktcode: 123234
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
erwartet: 4 St.
  • 4 St. - erwartet
auf Bestellung: 51 St.
  • 51 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9640PBF IRF9640PBF
Produktcode: 22646
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IR IRF9640PBF.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 24 St.
  • 24 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9640PBF IRF9640PBF VISHAY IRF9640PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.93 EUR
57+1.5 EUR
68+1.26 EUR
100+1.19 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF IRF9640PBF Vishay irf9640.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
100+2.45 EUR
250+2.09 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF IRF9640PBF Vishay Semiconductors IRF9640_SiHF9640.pdf MOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
auf Bestellung 5218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+2.31 EUR
100+1.77 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF IRF9640PBF Vishay Siliconix IRF9640_SiHF9640.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 54705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.99 EUR
50+2.98 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.87 EUR
5000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF9640PBF JSMSEMI irf9640.pdf MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
auf Bestellung 618 Stücke:
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IRF9640PBF
Produktcode: 22646
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IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 24 St.
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IRF9640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+1.93 EUR
57+1.5 EUR
68+1.26 EUR
100+1.19 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
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IRF9640PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1666 Stücke:
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IRF9640PBF IRF9640_SiHF9640.pdf
IRF9640PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
auf Bestellung 5218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.96 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF IRF9640_SiHF9640.pdf
IRF9640PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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1000+2.01 EUR
2000+1.87 EUR
5000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9640PBF irf9640.pdf
Hersteller: JSMSEMI
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
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IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 745 St.
  • 745 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640N
Produktcode: 30510
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description
IRF640N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
1+0.79 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-100K-Hitano)
Produktcode: 112202
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CR-S_080911.pdf
100 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-100K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 100 кОм
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 Вт
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
auf Bestellung: 23132 St.
  • 23132 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
100+0.021 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 11065
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1500 St.
  • 1500 St. - stock Köln
auf Bestellung: 8638 St.
  • 8638 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
100+0.021 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3050 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
  • 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 1189 St.
  • 1189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH