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IRF9640PBF

IRF9640PBF Siliconix

sihf9640-datasheet.pdf
Produktcode: 123234
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
auf Bestellung 55 St.:
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IRF9640PBF IRF9640PBF
Produktcode: 22646
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Hersteller : IR IRF9640PBF.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
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IRF9640PBF Hersteller : JSMSEMI irf9640.pdf MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF9640PBF IRF9640PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9640PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRF9640PBF IRF9640PBF Hersteller : Vishay irf9640.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9640PBF IRF9640PBF Hersteller : Vishay irf9640.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9640PBF Hersteller : Vishay/IR IRF9640_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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IRF9640PBF IRF9640PBF Hersteller : Vishay Siliconix IRF9640_SiHF9640.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF9640PBF IRF9640PBF Hersteller : Vishay Semiconductors IRF9640_SiHF9640.pdf MOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
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IRF9640PBF IRF9640PBF Hersteller : VISHAY IRF9640PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
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IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 783 St.
10 St. - stock Köln
773 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.36 EUR
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IRF640N
Produktcode: 30510
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description
IRF640N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 12 St.
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
10+0.37 EUR
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100 kOhm 5% 0,25W выв. (CR025SJTB-100K-Hitano)
Produktcode: 112202
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CR-S_080911.pdf
100 kOhm 5% 0,25W выв. (CR025SJTB-100K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25 W
Typ: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Abmessungen: вугільно-плівкові
auf Bestellung 24427 St.:
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10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 11065
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CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 10988 St.
1500 St. - stock Köln
9488 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1617 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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