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IRF640

IRF640 ST

IRF640.pdf
Produktcode: 7926
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.84 EUR
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Technische Details IRF640 ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:18A
  • On State Resistance:0.18ohm
  • Case Style:TO-220 (SOT-78B)
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:125W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.18ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:72A
  • Typ Capacitance Ciss:1200pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:240ns
  • Transistor Case Style:TO-220

Möglichen Substitutionen IRF640 ST

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF640N IRF640N
Produktcode: 30510
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Hersteller : IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 30 Stück
12 Stück - stock Köln
18 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.40 EUR
10+0.37 EUR
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IRF640NPBF IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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Hersteller : IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 459 Stück
10 Stück - stock Köln
449 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.36 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF640 IRF640 en.CD00000702.pdf MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF640 Hersteller : SLKOR en.CD00000702.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF640 Hersteller : IR en.CD00000702.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.52 EUR
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IRF640 IRF640
Produktcode: 192240
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en.CD00000702.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/57
JHGF: THT
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IRF640 IRF640 Hersteller : STMicroelectronics 3007.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF640 IRF640 Hersteller : Vishay sihf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF640 IRF640 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000702.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF640 IRF640 Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000702-1204609.pdf MOSFETs N-Ch 200 Volt 18 Amp
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IRF640 IRF640 Hersteller : Vishay / Siliconix en.CD00000702.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
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IRF640 IRF640 Hersteller : onsemi / Fairchild en.CD00000702.pdf MOSFETs
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IRF9640PBF
Produktcode: 22646
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IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.5
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
/: THT
auf Bestellung 110 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.75 EUR
10+0.67 EUR
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IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 459 Stück
10 Stück - stock Köln
449 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.36 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 47772 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1200 Stück:
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1019 Stück
43 Stück - stock Köln
976 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2037 Stück
429 Stück - stock Köln
1608 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.50 EUR
10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
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