IRF640


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Produktcode: 192240
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 11 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1600/57
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
2+1.06 EUR
10+1 EUR
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Technische Details IRF640

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:18A
  • On State Resistance:0.18ohm
  • Case Style:TO-220 (SOT-78B)
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:280mJ
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:125W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.18ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:72A
  • Typ Capacitance Ciss:1200pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:240ns
  • Transistor Case Style:TO-220

Möglichen Substitutionen IRF640

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF640N IRF640N
Produktcode: 30510
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
2+0.79 EUR
10+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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IRF640NPBF IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 670 St.
  • 670 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
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IRF640N
Produktcode: 30510
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description
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
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AnzahlPrivatkunde
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IRF640NPBF
Produktcode: 42934
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irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Bemerkung: P=150W, -55...170 C
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
erwartet: 20 St.
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auf Bestellung: 670 St.
  • 670 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF640 IRF640 GOODWORK 1782724373540472.pdf description Description: 200V18A180m@10VTO-220-3L
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF640 SLKOR 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF640 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf description MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF640 description 1782724373540472.pdf
Hersteller: GOODWORK
Description: 200V18A180m@10VTO-220-3L
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF640 description 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF640 description 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf
MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BC546B (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 13100
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BC546, 547.pdf
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 65 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: THT
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
auf Bestellung: 29 St.
  • 29 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.13 EUR
12+0.1 EUR
100+0.094 EUR
1000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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КР140УД708
Produktcode: 36743
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Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
4+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
КР140УД17А
Produktcode: 118809
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4,7uF 50V ELV SMD sizeA (ELV4R7M50RA) (elektrolytischer Kondensator SMD)
Produktcode: 15900
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ELV_090806.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ELV, SMD
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: SMD size A
Max. Welligkeitsstrom: 18 mA
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
11+0.11 EUR
15+0.082 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
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22uF 16V ELV SMD sizeB (ELV220M16RB) (elektrolytischer Kondensator SMD)
Produktcode: 15891
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ELV_090806.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: ELV, SMD
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: SMD size B
Max. Welligkeitsstrom: 39 mA
auf Bestellung: 556 St.
  • 556 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.12 EUR
16+0.079 EUR
100+0.058 EUR
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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