Weitere Produktangebote IRLR8743TRPBF nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 1998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC |
auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 52704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 52704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори |
auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.66 EUR |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.66 EUR |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.71 EUR |
| 4000+ | 0.66 EUR |
| 6000+ | 0.64 EUR |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 583+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 69+ | 1.04 EUR |
| 74+ | 0.97 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 70+ | 2.09 EUR |
| 102+ | 1.41 EUR |
| 103+ | 1.36 EUR |
| 104+ | 1.32 EUR |
| 145+ | 0.93 EUR |
| 250+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.72 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
auf Bestellung 6302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.52 EUR |
| 12+ | 1.59 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.55 EUR |
| 10+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.1 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| 2000+ | 0.73 EUR |
| 4000+ | 0.66 EUR |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 52704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 52704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH






