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IRLS4030TRLPBF

IRLS4030TRLPBF INFINEON

332466.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IRLS4030TRLPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.38 EUR
1600+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.38 EUR
1600+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.45 EUR
1600+3.19 EUR
2400+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.45 EUR
1600+3.12 EUR
2400+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671e1fd2715 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.53 EUR
1600+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.19 EUR
42+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.19 EUR
42+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF INFINEON 332466.pdf Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
46+5.15 EUR
100+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671e1fd2715 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.51 EUR
10+6.31 EUR
100+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRLS4030_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+6.68 EUR
100+4.99 EUR
500+4.19 EUR
800+3.86 EUR
2400+3.67 EUR
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IRLS4030TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.38 EUR
1600+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.38 EUR
1600+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.45 EUR
1600+3.19 EUR
2400+3.03 EUR
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auf Bestellung 13600 Stücke:
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Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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42+4.18 EUR
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IRLS4030TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.19 EUR
42+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.22 EUR
46+5.15 EUR
100+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRLS4030TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.51 EUR
10+6.31 EUR
100+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRLS4030TRLPBF Infineon_IRLS4030_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLS4030TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.2 EUR
10+6.68 EUR
100+4.99 EUR
500+4.19 EUR
800+3.86 EUR
2400+3.67 EUR
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