IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 3.84 EUR |
| 2400+ | 3.55 EUR |
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Technische Details IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.
Weitere Produktangebote IRLS4030TRLPBF nach Preis ab 3.97 EUR bis 12.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC |
auf Bestellung 1389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLS4030TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLS4030TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLS4030TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 156+ | 4.3 EUR |
| 500+ | 4.01 EUR |
| IRLS4030TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 6.63 EUR |
| IRLS4030TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 6.65 EUR |
| IRLS4030TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
auf Bestellung 1389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.01 EUR |
| 10+ | 5.24 EUR |
| 100+ | 4.77 EUR |
| 500+ | 3.97 EUR |
| IRLS4030TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
auf Bestellung 4281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10.22 EUR |
| 10+ | 6.81 EUR |
| 50+ | 5.33 EUR |
| 100+ | 4.86 EUR |
| IRLS4030TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: HEXFET
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usEccn: EAR99
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auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 12.82 EUR |
| IRLS4030TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)