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IRLTS2242TRPBF

IRLTS2242TRPBF International Rectifier

infineon-irlts2242-datasheet-en.pdf
Produktcode: 106324
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Hersteller: International Rectifier
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF Infineon Technologies infineon-irlts2242-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
21000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF Infineon Technologies infineon-irlts2242-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.95 EUR
30+0.59 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLTS2242_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs P-CHANNEL -20V -6.9A 32mOhm -2.5V capabl
auf Bestellung 22336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+0.73 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlts2242pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRLTS2242TRPBF Infineon IRLTS2242TRPBF.pdf MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP Транзистори
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRLTS2242TRPBF infineon-irlts2242-datasheet-en.pdf MOSFET 20V 6.9A (55A pulse), P Channel TSOP-6
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRLTS2242TRPBF ON Semiconductor Infineon-IRLTS2242-DataSheet-v01_01-EN.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 10, Qg, нКл = 12, Rds = 32 мОм, Ugs(th) = 1,1, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 40 Stücke:
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IRLTS2242TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPreis
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IRLTS2242TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPreis
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1000+0.26 EUR
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AnzahlPreis
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100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
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IRLTS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP Транзистори
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Hersteller: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 10, Qg, нКл = 12, Rds = 32 мОм, Ugs(th) = 1,1, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-6 Од. вим: шт
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