IRLU024N

IRLU024N

Produktcode: 32876
Hersteller: IR
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15

IRLR024N,%20IRLU024N.pdf
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Technische Details IRLU024N

  • MOSFET, N LOGIC I-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State Resistance:0.065ohm
  • Power Dissipation:46W
  • Transistor Case Style:TO-251
  • Case Style:TO-251 (I-Pak)
  • Cont Current Id:17A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:46W
  • Pulse Current Idm:72A
  • Transistor Polarity:N

Preis IRLU024N ab 0.42 EUR bis 2.05 EUR

IRLU024N
Hersteller: IR
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065? Trans. IRLU024N TO251(IPAK) TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRLU024N
Hersteller: IR
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065? Trans. IRLU024N TO251(IPAK) TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRLU024N
Hersteller: IR
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065? Trans. IRLU024N TO251(IPAK) TIRLU024n
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IRLU024N
IRLU024N
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
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Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
8532 22 00 00
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