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IRLU024NPBF(Transistor)

IRLU024NPBF(Transistor)

Produktcode: 73061
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 20938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.54 EUR
12000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.54 EUR
12000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 68265 Stücke:
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162+0.9 EUR
191+0.74 EUR
217+0.63 EUR
525+0.54 EUR
1050+0.52 EUR
2025+0.45 EUR
5025+0.39 EUR
10050+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 68244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.91 EUR
190+0.76 EUR
216+0.65 EUR
525+0.58 EUR
1050+0.56 EUR
2025+0.51 EUR
5025+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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153+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+0.99 EUR
112+0.64 EUR
123+0.58 EUR
132+0.54 EUR
136+0.53 EUR
150+0.5 EUR
525+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 12881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+1.88 EUR
100+1.24 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.75 EUR
6000+0.67 EUR
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 34515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.22 EUR
75+1.44 EUR
150+1.29 EUR
525+1.08 EUR
1050+0.98 EUR
2025+0.91 EUR
5025+0.83 EUR
10050+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 15350 Stücke:
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IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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3000+0.54 EUR
12000+0.51 EUR
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IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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AnzahlPreis
162+0.9 EUR
191+0.74 EUR
217+0.63 EUR
525+0.54 EUR
1050+0.52 EUR
2025+0.45 EUR
5025+0.39 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
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IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
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IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
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L78M12ABDT-TR
Produktcode: 36040
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description L78MxxAB%2CAC%20.pdf
L78M12ABDT-TR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: D-Pak
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 0.5
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: -40...125
auf Bestellung 126 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.34 EUR
10+0.29 EUR
100+0.24 EUR
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Flussmittel F-2000 (20g)
Produktcode: 35669
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Flussmittel F-2000 (20g)
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Kategorie: Flussmittel
Beschreibung: Verursacht keine Korrosion und keine Leckströme an der Lötstelle, selbst ohne Entfernen der Flussmittelrückstände.
Gewicht/Volumen/Menge: 20 g
Konsistenz: Paste-Gel
auf Bestellung 414 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22uF 25V size-C (293D226X9025C2TE3)
Produktcode: 33499
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22uF 25V size-C (293D226X9025C2TE3)
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-C
№ 6: 8532210000
auf Bestellung 124 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 500 St.:
500 St. - erwartet 05.07.2026
AnzahlPreis
1+0.29 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MER 4,7uF 400V K(+/-10%), P=27,5mm, 20x29x30mm (MER475K2GB-Hitano)
Produktcode: 23356
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MER_070523.pdf
MER 4,7uF 400V K(+/-10%), P=27,5mm, 20x29x30mm (MER475K2GB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung, V: 400VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=37,5mm, 24x32x42mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER475K2GB
ZCODE: 8532 29 00 00
auf Bestellung 381 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+1.53 EUR
10+1.26 EUR
100+1.1 EUR
1000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4120
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RC_series.pdf
2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 2 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 9580 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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