IRLU2905ZPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 106+ | 1.67 EUR |
| 116+ | 1.46 EUR |
| 137+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
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Technische Details IRLU2905ZPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRLU2905ZPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLU2905ZPBF | International Rectifier |
  MOSFET N-CH, 55V, 42A, I-PAK Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRLU2905ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
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 |
IRLU2905ZPBF | Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl |
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 |
IRLU2905ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU2905ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 60 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 110 Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IRLU2905ZPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH, 55V, 42A, I-PAK Транзистори
MOSFET N-CH, 55V, 42A, I-PAK Транзистори
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| IRLU2905ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
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| IRLU2905ZPBF |
|
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl
MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl
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| IRLU2905ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU2905ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLU2905ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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