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IRLU8726PBF

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Produktcode: 33747
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Hersteller: IR
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 86 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0056 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
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Technische Details IRLU8726PBF IR

  • MOSFET,N-CH 30V 86A IPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:25A
  • On State Resistance:5.8mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Case Style:I-PAK
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:2.35V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:75W
  • Transistor Case Style:I-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLU8726PBF IRLU8726PBF Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 description Description: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
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IRLU8726PBF IRLU8726PBF Infineon Technologies international rectifier_irlr8726pbf.pdf description MOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
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IRLU8726PBF
Hersteller: Infineon Technologies
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Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
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IRLU8726PBF description international rectifier_irlr8726pbf.pdf
IRLU8726PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
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Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 664 St.
  • 664 St. - stock Köln
erwartet: 40500 St.
  • 40000 St. - erwartet 10.08.2026
  • 500 St. - erwartet
auf Bestellung: 3345 St.
  • 3345 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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Transitfrequenz fT: 80 MHz
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Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 A
Montage: THT
auf Bestellung: 5938 St.
  • 5938 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.039 EUR
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Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 53451 St.
  • 53451 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.039 EUR
10+0.031 EUR
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verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 467 St.
  • 467 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 298 St.
  • 298 St. - stock Köln
erwartet: 59 St.
  • 59 St. - erwartet
auf Bestellung: 9705 St.
  • 9705 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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