IRLU8726PBF
Produktcode: 33747
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRLU8726PBF IR
- MOSFET,N-CH 30V 86A IPAK
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:25A
- On State Resistance:5.8mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1.8V
- Case Style:I-PAK
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Max Voltage Vgs th:2.35V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:75W
- Transistor Case Style:I-PAK
Weitere Produktangebote IRLU8726PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU8726PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
IRLU8726PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLU8726PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
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| IRLU8726PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
MOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
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| 1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 11106
2
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|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4387 St.
- 1164 St. - stock Köln
- 3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
- 40000 St. - erwartet 10.08.2026
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.01 EUR |
| 100+ | 0.0056 EUR |
| 2PC1815BL Produktcode: 105439
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 80 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,15 A
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 80 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,15 A
Montage: THT
auf Bestellung 5948 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 1N4007 Produktcode: 176822
16
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|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 70118 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1581 St.
- 26 St. - stock Köln
- 1555 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.79 EUR |
| 4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano) Produktcode: 3138
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 10125 St.
- 298 St. - stock Köln
- 9827 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.014 EUR |
| 1000+ | 0.011 EUR |









