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IRLU8726PBF

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irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
Produktcode: 33747
Hersteller: IR
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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10+0.57 EUR
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Technische Details IRLU8726PBF IR

  • MOSFET,N-CH 30V 86A IPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:25A
  • On State Resistance:5.8mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Case Style:I-PAK
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:2.35V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:75W
  • Transistor Case Style:I-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLU8726PBF IRLU8726PBF Hersteller : Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
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IRLU8726PBF IRLU8726PBF Hersteller : Infineon Technologies international rectifier_irlr8726pbf.pdf MOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
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200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3540
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RC_series.pdf
200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 200 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 12630 St.
1200 St. - stock Köln
11430 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.005 EUR
100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1722 St.
26 St. - stock Köln
1696 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.79 EUR
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4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano)
Produktcode: 3138
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ECR_081225.pdf
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 10519 St.
298 St. - stock Köln
10221 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.014 EUR
1000+0.011 EUR
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16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2266
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NPO.pdf
16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 16pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 114 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 St.:
4000 St. - erwartet 15.06.2026
Anzahl Preis
10+0.022 EUR
100+0.0074 EUR
1000+0.0059 EUR
10000+0.0054 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 8564 St.
65 St. - stock Köln
8499 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.069 EUR
10+0.049 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.042 EUR
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