IRLU8743PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLU8743PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLU8743PBF nach Preis ab 0.8 EUR bis 3.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRLU8743PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU8743PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU8743PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU8743PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLU8743PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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IRLU8743PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl |
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IRLU8743PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU8743PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU8743PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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