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Technische Details IRLZ34PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Weitere Produktangebote IRLZ34PBF nach Preis ab 1.45 EUR bis 4.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRLZ34PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRLZ34PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
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IRLZ34PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
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IRLZ34PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRLZ34PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLZ34PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRLZ34PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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