IRS2011SPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRS2011SPBF Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A, Part Status: Last Time Buy, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IRS2011SPBF nach Preis ab 2.75 EUR bis 5.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRS2011SPBF | Infineon Technologies |
  Gate Drivers 200V high & low-side,1A,60ns,DSO-8 |
auf Bestellung 18093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRS2011SPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 200V high & low-side,1A,60ns,DSO-8
Gate Drivers 200V high & low-side,1A,60ns,DSO-8
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