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IRS2104SPBF

IRS2104SPBF

irs2104-9727-datasheet.pdf
Produktcode: 34367
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Bemerkung: Halbbrückentreiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRS2104SPBF IRS2104SPBF Infineon Technologies irs2104.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
10000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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IRS2104SPBF IRS2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2104.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
44+1.94 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRS2104SPBF IRS2104SPBF Infineon Technologies Infineon-IRS2104-DataSheet-v01_00-EN.pdf Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 680ns 130mA
auf Bestellung 20338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.56 EUR
25+1.4 EUR
100+1.23 EUR
250+1.15 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRS2104SPBF Infineon Technologies Infineon-IRS2104.pdf Драйвер MOSFET, IGBT, Тип вх. сигн. = Неінвертуючий, I = 290 мА, Umax, B = 600, Uживл, В = 10...20, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 напівмостових драйвери, Тексп, °C = -40...+150, I2 = 600 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 9 Stücke:
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IRS2104SPBF irs2104.pdf
IRS2104SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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IRS2104SPBF irs2104.pdf
IRS2104SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+2.06 EUR
44+1.94 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRS2104SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 680ns 130mA
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Hersteller: Infineon Technologies
Драйвер MOSFET, IGBT, Тип вх. сигн. = Неінвертуючий, I = 290 мА, Umax, B = 600, Uживл, В = 10...20, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 напівмостових драйвери, Тексп, °C = -40...+150, I2 = 600 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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100nF 100V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R0BB104-Yageo)
Produktcode: 105040
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yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 100V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R0BB104-Yageo)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
auf Bestellung: 5870 St.
  • 5870 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.067 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.031 EUR
10000+0.024 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Relais G6S-2 12VDC
Produktcode: 114438
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pg6s-2-12-datasheet.pdf
Relais G6S-2 12VDCRelais G6S-2 12VDC
Relais G6S-2 12VDCRelais G6S-2 12VDC
Hersteller: Omron
Relais
Relaistyp: Signalrelais
Beschreibung: Kontakttyp: 2C; USpule: 12V; I-Schalt: 2A
Abmessungen: 14,8x9,2x7,3 мм
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max.: 2 А
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 250 VAC; 30 VDC
auf Bestellung: 1588 St.
  • 1588 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
33 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-33R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4559
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RC_series.pdf
33 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-33R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 33 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 5000 St.
  • 5000 St. - stock Köln
erwartet: 20000 St.
  • 20000 St. - erwartet
auf Bestellung: 4329 St.
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AnzahlPrivatkunde
10+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C5V1
Produktcode: 4297
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BZV55.pdf
BZV55-C5V1
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 5,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: -0,8 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 5023 St.
  • 5023 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.043 EUR
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2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2453
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EXR_080421.pdf
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x36 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
erwartet: 60 St.
  • 60 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+1.17 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH