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IRS2104SPBF

IRS2104SPBF

irs2104-9727-datasheet.pdf
Produktcode: 34367
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Bemerkung: Halbbrückentreiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 25 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRS2104SPBF IRS2104SPBF Infineon Technologies Infineon-IRS2104-DataSheet-v01_00-EN.pdf Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 680ns 130mA
auf Bestellung 21052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+1.21 EUR
25+1.2 EUR
100+1.14 EUR
250+1.11 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRS2104SPBF IRS2104SPBF Infineon Technologies irs2104.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+1.7 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.37 EUR
10000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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IRS2104SPBF IRS2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2104.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.06 EUR
44+1.94 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRS2104SPBF Infineon Technologies Infineon-IRS2104.pdf Драйвер MOSFET, IGBT, Тип вх. сигн. = Неінвертуючий, I = 290 мА, Umax, B = 600, Uживл, В = 10...20, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 напівмостових драйвери, Тексп, °C = -40...+150, I2 = 600 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 9 Stücke:
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IRS2104SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 680ns 130mA
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IRS2104SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
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Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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IRS2104SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Turn-off time: 185ns
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Hersteller: Infineon Technologies
Драйвер MOSFET, IGBT, Тип вх. сигн. = Неінвертуючий, I = 290 мА, Umax, B = 600, Uживл, В = 10...20, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 напівмостових драйвери, Тексп, °C = -40...+150, I2 = 600 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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100nF 100V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R0BB104-Yageo)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
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BAT54S
Produktcode: 4313
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BAT54S
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-23
Sperrspannung Vrrm, V: 30 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 0,2 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,4 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, Reihenschaltung, Strom 0,2 A pro Diode.
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 0,6 А
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.036 EUR
10+0.033 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.025 EUR
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0,15 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R15)
Produktcode: 3284
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SQP_080911.pdf
0,15 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R15)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Nennwert: 0,15 Ohm
Leistung: 5 W
Toleranz: ±5%
U Betriebs. max., V: 750 V
Abmessungen, mm: 22.0x10.0x9.5; dlead = 0.8
Typ: bedrahtet, Zement, drahtgewickelt
auf Bestellung 349 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.11 EUR
100+0.095 EUR
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220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2973
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ECR_081225.pdf
220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 297 St.
  • 296 St. - stock Köln
  • 1 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10153 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
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100+0.038 EUR
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2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2453
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2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x36 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 12 St.
    erwartet: 1000 St.
    • 1000 St. - erwartet 29.10.2026
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.17 EUR
    10+0.96 EUR
    100+0.76 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH