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IRS2108PBF

IRS2108PBF Infineon Technologies

irs2108.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
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Technische Details IRS2108PBF Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Inverting, Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-PDIP, Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V, Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA, Part Status: Last Time Buy, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRS2108PBF IRS2108PBF Infineon Technologies irs2108.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
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IRS2108PBF IRS2108PBF Infineon Technologies IRSDS08085-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
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Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
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Input Type: Inverting, Non-Inverting
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Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
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Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
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Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
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